栅介质薄膜的结构和介电性质研究JournalofInorganic.pdfVIP

第２５卷 第５期 无 机 材 料 学 报 Ｖｏｌ．２５，Ｎｏ．５ ２０１０年５月 　 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＩｎｏｒｇａｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ 　Ｍａｙ，２０１０ 文章编号：１０００３２４Ｘ（２０１０）０５０４６８０５ ＤＯＩ：１０．３７２４／ＳＰ．Ｊ．１０７７．２０１０．００４６８ ＨｆＯ栅介质薄膜的结构和介电性质研究 ２ １ ２，３ ２，３ ２，３ ２，３ １ 程学瑞 ，戚泽明 ，张国斌 ，李亭亭 ，贺博 ，尹 民 （中国科学技术大学１．物理系，合肥 ２３００２６；２．国家同步辐射实验室，合肥 ２３００２９；３．核科学技术学 院，合肥２３００２９） 摘 要：采用脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ）在Ｓｉ（１００）衬底上生长了ＨｆＯ 栅介质薄膜．利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扩展Ｘ ２ 射线吸收精细结构（ＥＸＡＦＳ）对其结构进行了表征，利用远红外光谱对其声子振动模式和介电性质进行了研究．结果 － 表明，室温下制备薄膜为非晶，衬底温度４００℃时已经形成单斜相的ＨｆＯ薄膜，１０００℃退火后薄膜更趋向于（１１１）晶 ２ c 面取向，且结晶质量改善．薄膜的局域结构研究显示低衬底温度下生长的样品具有更短的ＨｆＯ键长和更高的无序 i 度．薄膜结构和薄膜质量影响其远红外声子模式，使得一些低频红外声子模式消失，造成其介电常数相对体材料有所 n 降低，但由于影响介电常数的主要远红外声子模式依然存在，晶态薄膜仍然能保持一定的介电常数值． 关　键　词：ＨｆＯ薄膜；高介电常数栅介质；脉冲激光沉积；声子 a ２ 中图分类号：Ｏ４８４　　　　　　文献标识码：Ａ g r ＳｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＤｉｅｌｅｃｔｒｉｃＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＨｆＯ ＴｈｉｎＦｉｌｍｓ o ２ １ ２，３ ２，３ ２，３ ２，３ １ n ＣＨＥＮＧＸｕｅＲｕｉ，ＱＩＺｅＭｉｎｇ ，ＺＨＡＮＧＧｕｏＢｉｎ ，ＬＩＴｉｎｇＴｉｎｇ ，ＨＥＢｏ ，ＹＩＮＭｉｎ I s （１．ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆＣｈｉｎａ，Ｈｅｆｅｉ２３００２６，Ｃｈｉｎａ；２．ＮａｔｉｏｎａｌＳｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎＲａ l ｄｉａｔｉｏｎＬａｂｏｒａｔｏｒｙ，ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆＣｈｉｎａ，Ｈｅｆｅｉ２３００２９，Ｃｈｉｎａ；３．ＳｃｈｏｏｌｏｆＮｕｃｌｅａｒＳｃｉｅｎｃｅａｎｄ f a Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｕｎｉｖｅ