氮化硅纳米片的奥罗万熟化生长机理.docVIP

氮化硅纳米片的奥罗万熟化生长机理 杨为佑1,(，，1，安立楠 1 宁波工程学院机械工程学院，宁波，315016，中国 中佛罗里达大学先进材料工艺与分析中心，奥兰多，32816，美国 摘要 本论文揭示了单晶氮化硅纳米片的奥罗万熟化生长机理。研究表明，纳米片奥罗万熟化生长主要包括以下基本过程：1) 纳米细晶的形成与聚集；2) 共格或半共格的相邻晶粒在晶界发生合并生长；3) 在定向接触机理辅助下(晶粒合并势垒较小)，合并生长的大晶粒不断吞并周围的纳米细晶，最终形成单晶纳米片状结构。通过奥罗万熟化生长机理所合成的纳米片具有宽厚比高、超薄、平整和单晶结构等优异特性，在用作纳米器件的衬底材料上具有潜在的应用前景。 引言 由于结构、形貌和性能的关联，近年来，低维纳米材料的可控合成受到了广泛的关注。不同形貌的低维纳米材料如纳米线、纳米带、纳米管和纳米片等，具有各向异性、超薄等优异特性，在用作纳米器件的衬底材料具有广泛的应用前景。 纳米片的，如金属，氧化物，硫化物和其他化合物等。纳米片的生长机理可以分为五种：i) 自限域生长机理；ii)晶种诱导生长机理； iii)自组装机理；iv)v)自修复机理。所制备的纳米片四方形、三角形和六方形，且尺寸一般限于几十到几百纳米。 氮化硅是常见的宽禁带半导体材料，具有优良的热机械性能和化学稳定性，这些特性使他可用于高温及短波电子器件。近来，系列氮化硅纳米结构的合成，氮化硅纳米片状结构。本论文采用有机前驱体热解法，通过催化剂和原料的优化选择进行实验设计，深入系统地研究并揭示了Si3N4单晶纳米片的奥罗万熟化生长机理。提出了一种新的生长氮化硅纳米片的方法可以拓展到其他材料体系，通过使用不同的有机前驱体。所制备的纳米片用作纳米器件的衬底材料。 实验95wt%的聚硅氮烷(polyureasilazane)和5wt%aluminum isopropoxide)的混合物在N2气保护气氛下于260℃保温0.5小时进行交联固化，高能球磨粉碎，球磨时间为24h球磨的同时引入3 wt%FeCl2粉末(99.9%)做催化剂。将高能球磨后的混合物放入99氧化铝陶瓷坩埚中，石墨电阻炉1450℃加热，保护气氛为0.1MPa的流动N2气(99.99%)，气体流速200sccm。分别保温0.5h,1h和2h，然后随炉冷却室温高分辨透射电子显微镜(HRTEM, JEOL-2010F,JEOL, Japan)200 kV。 结果和讨论 图1为热解时间为2小时的合成产物高分辨透射电子显微镜形貌图氮化硅纳米片的尺寸可以达到几个微米，超薄且平整，甚至在重叠的部分都（图1b）。值得注意的是纳米片形貌，形、形形。 为了生长机理，我们通过控制热解时间，从而获得其中间产物来进行其生长机理的分析和研究。图2所示热解时间为0.5小时的合成产物，表明此时所获得的产物为从几百纳米到几微米纳米颗粒的随机聚合体，为多晶结构。表明这些由大量微小的纳米粒子构成，不规则形状（图2a）。图2b-d堆积密度不同。图2e和f为分别取自图2d中的区域“I” 和 “II”进一步是由一些几到几十纳米的微小纳米粒子组成。图2e中插入图为的，表明纳米结构多晶。，这个阶段的纳米结构单个纳米粒子的集合体，而单晶形式。 图3所示的是热解时间为1小时的典型合成产物，与热解时间为0.5小时所合成的产物不同的是，粉末团聚体的结构发生了本质变化，如图3(a)所示。对其衬度不同的结构区域I和II分别进行SAED分析，结果表明I区为单晶结构，而II区为多晶结构。对比热解时间为0.5小时的合成产物可知，原来的粉末团聚体的局部结构已经转变成了单晶结构。图d为II区的HRTEM照片，表明小部分粉末颗粒间可以形成共格晶界，这样的颗粒之间可以通过择优接触的方式合并成为一个颗粒。据HRTEM观察，大部分粉末颗粒之间并共格晶界，因而这种通过形成共格晶界进而通过择优接触由多晶转变成为单晶的纳米片生长方式并不是Si3N4纳米片的主要生长机理。可以推断，纳米片的形成是由于共格晶界的形成，导致了局部单晶大颗粒的形成，这些大晶粒把小的晶粒不断的“吃掉”，从而得到如图1所示的Si3N4纳米片结构，为典型的奥罗万熟化晶体生长过程。图4(a)所示的是热解时间为2小时合成的典型纳米片状结构，相比于短保温时间的合成物，其聚合的纳米颗粒已经完全转变成结构完整的纳米片。图6(b) 和(c)为相应的SAED和HRTEM图片，表明所制备的Si3N4纳米片为结构完美的单晶结构，没有诸如位错和层错的缺陷。晶格间距为0.67nm和0.56nmα-Si3N4的晶格参数a =0.77541 nm c=0.56217 nm (JCPDSCard No. 41-0360)吻合。 基于以上分析，Si3N4纳米片的晶体生长模型如图6(d)所示，为典型的奥罗万熟化生长