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AN-4147 应用指南 反激式转换器 RCD 缓冲电路的设计指南 摘要 合适中低功率应用，如电池充电器、适配器 和 DVD 播 放器。 本文介绍反激式转换器 RCD 缓冲电路的设计指南。当 MOSFET 关断时，由于主变压器的漏电感 (Llk) 与 图 1 显示在连续导通模式 (CCM) 和不连续导通模式 MOSFET 的输出电容 (COSS) 之间存在谐振，漏极引脚 (DCM) 下运行的反激式转换器，其中包含几个寄生元 上会出现高压尖峰。漏极引脚上的过高电压可能导致雪 件，如初级和次级漏电感、MOSFET 的输出电容和次级 崩击穿，并最终损坏 MOSFET 。因此，必须添加一个额 二极管的结电容。当 MOSFET 关断时，初级电流 (id) 在 外的电路，实现电压箝位。 短时间内为 MOSFET 的 COSS 充电。当 COSS (Vds) 两 端的电压超过输入电压及反射的输出电压之和 (V +nV ) 时，次级二极管导通，因此励磁电感 (L ) 两 in o m 端的电压被箝位至 nVo 。因此，Llk1 和 COSS 之间存在谐 引言 振，具有高频和高压浪涌。MOSFET 上过高的电压可能 导致故障。在 CCM 运行模式下，次级二极管保持导通 一个最简单的拓扑是反激式转换器。该拓扑源自一个升 直至 MOSFET 栅极导通。当 MOSFET 导通时，次级二 降压转换器，将滤波电感替换为耦合电感，如带有气隙 极管的反向恢复电流被添加至初级电流，因此在导通瞬 的磁芯变压器。当主开关导通时，能量以磁通形式存储 间初级电流上出现较大的电流浪涌。同时，由于在 DCM 在变压器中，并在主开关关断时传输至输出。由于变压 器需要在主开关导通期间存储能量，磁芯应该开有气 模式下次级电流在一个开关周期结束前干涸， Lm 和 隙。因为反激式转换器所需元件很少，因此该拓扑非常 MOSFET 的 COSS 之间存在谐振。