氢稀释对非晶硅碳(a-SiCH)合金薄膜生长和光学特性的影响.pdfVIP

中国科学 E 辑 工程科学 材料科学 2004, 34(5): 525~532 525 氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长 和光学特性的影响* ①② ② ② ② ② ② 胡志华 廖显伯 刁宏伟 孔光临 曾湘波 徐艳月 (①云南师范大学能源与环境科学学院, 昆明 650092; ②中国科学院半导体研究所 国家表面物理重点实验室, 北京 100083) 摘要 用PECVD 方法, 以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH ]/[SiH ] = 1.2)和不 4 4 同的氢稀释比(R = [H ]/ [CH +SiH ] = 12, 22, 33, 102 和 135)制备了一系列的氢化 H 2 4 4 非晶硅碳合金(a-SiC:H) 薄膜. 运用紫外- 可见光透射谱(UV-VIS) 、红外吸收谱 (IR) 、Raman 谱以及光荧光发射谱(PL)测量研究了氢稀释和高温退火对薄膜生长 和光学特性的影响. 实验发现氢稀释使薄膜光学带隙展宽(从1.92 到2.15 eV). 高 氢稀释条件下制备的薄膜经过 1250℃退火后在室温下观察到可见光发光峰, 峰 位位于2.1 eV. 结合Raman 谱分析, 认为发光峰源于纳米硅的量子限制效应, 纳 米硅被Si-C 和Si-O 限制. 关键词 非晶硅碳 氢稀释 纳米硅 氢化非晶硅碳(a-SiC:H)薄膜具有带隙宽度可调, 硬度高以及化学稳定性好 [1] [2] [3] [4] 等优点, 在太阳电池 、薄膜晶体管 、发光二极管 、紫外图像传感器 、微细 [5] [6,7] 超流涂层 以及防腐抗氧化涂层 等方面都得到了应用. 然而一个长期存在的 [8] 问题是 a-SiC:H 的电学性能随碳含量的增加而退化 . 目前还不十分了解这种退 化是这一合金体系固有的还是尚未找到优化的薄膜沉积条件. 因此, 为了获得更 [9] 好的材料, 人们还在不断探索更为优化的薄膜沉积条件 . 2 本文报道了在中等功率强度(500 mW/cm )下氢稀释比对a-SiC:H 薄膜化学健 构和光学特性的影响, 该条件不同于近年来报道较多的低功率强度(20~50 2 [10,11] mW/cm ) 下的“硅烷匮乏等离子体条件”(silane-plasma-starving) . 在固定甲 烷与硅烷气体流量比([CH ]/[SiH ] = 1.2) 的情况下, 以不同的氢稀释比(R =