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维普资讯
研究快讯
3C—SiC纳米颗粒量子限制效应的实验证据 术
范吉阳 吴兴龙’ 邱 腾
(南京大学固体微结构物理国家重点实验室 南京大学物理系 南京 210093)
摘 要 报道了关于3C—SiC纳米颗粒量子限制效应的实验证据.将电化学腐蚀 3C—SiC多晶靶材得到的多孔
材料在水溶液中进行超声处理 ,制备出发光的3C—SiC纳米颗粒溶液.透射 电镜实验表明,所得颗粒直径分布在
1一_6nm范围.光致发光谱实验给出了存在量子限制效应的实验证据.发光范围在440460nm.SiC纳米颗粒量子
限制效应的发现,为该材料在光电子发光器件中的应用提供了重要的实验基础.
关键词 纳米颗粒,量子限制效应,光致发光
Experim entalevidenceforquantum confinement
in 3C SiC nanopa~icles
FANJiYang WUXing—Long’ QIUTeng
(NationalLaboratoryofSolidStateMicrostructuresandDepartmentofPhysics,Na ngUniversity,Nanjing 210093,China)
Abstract Wereportrecentexperimentalevidenceforthequantum confinementeffectin3C——SiCnanoparti--
cles.Bydispersingelectrochemicallyetchedpolycrystalline3C —SiC wafers intowatersolutionwefabricated
suspensionsof3C—SiC nanocrystallitesthatexhibitedluminescence.Transmissionelectronmicroscopeobserva-
tionsshow thatthenanocrystalliteshavediametersbetween 1and6am.Photoluminescenceexcitation spectral
examinationsshow clearevidenceofthequantum confinementwithanemissionbandmaximum rangingfrom 440
to560 am.
Keywords nanocrystallite,quantum confinementeffect,photoluminescence
半导体量子点光学性质的研究是当前一个热门 SiC获得理想的蓝光发射 ¨ .然而虽然这方面的
领域.自从 l990年发现多孔硅 的室温强发光性质 工作很多,但仍然没有发现明确展现量子限制效应
后 ,以多孔硅为主的多孔半导体材料 的发光得到 了 的蓝光发射,已观察到的发光与纳米颗粒 中存在非
广泛和深入 的研究 ¨。.研究人员提出许多理论模 晶态及表面化学态有关 .两方面的原 因造成这种
型来解释多孑L硅 的发光机制 ,包括量子 限制效 结果:一方面,利用单晶SiC电化学腐蚀的方法得到
应 、表面态 ‘和缺陷态模型 .迄今为止 ,最 的样品往往 由于颗粒尺寸大于 20am,而不能产生
广为接受的理论认为,量子限制效应导致多孔硅 中 量子限制效应 ¨ ;另一方面,虽然在有些实验 中曾
纳米颗粒的禁带宽度随颗粒尺寸减小而增加,从而 经制备出几个纳米的SiC纳米颗粒 16--18,23j,但 由于
导致颗粒的发光 由体材料的红外区蓝移至可见光 颗粒包裹在其他材料中,复杂的表面态仍然导致了
区¨….大量的研究结果表 明,利用多孔硅获得强 不是起源于量子限制效应的发光特性.SiC纳米颗
而稳定
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