Cu2O薄膜的制备及其光电催化降解甲基橙性能研究.pdfVIP

第 30卷 第 5期 太 原 科 技 大 学 学 报 Vol. 30 No. 5 2009年 10月 JOURNAL OF TA IYUAN UN I VERSITY OF SC IENCE AND TECHNOLOGY Oct. 2009 文章编号 : 1673 - 2057 2009 05 - 0432 - 05 Cu O薄膜的制备及其光 电 催化 2 降解甲基橙性能研究 1, 2 1 1 1 1 刘军 ,郝晓刚 ,李洪辉 ,张忠林 ,张福国 1、 太原理工大学化学化工学院 ,太原 030024; 2、 太原科技大学化学与生物工程学院 ,太原 030021 摘 要 :采用循环伏安法 ,在 1 mol/L的 KOH溶液中控制电位 - 1 000 mV~ - 450 mV vs SEC 之 间以 1 mV / s的速度扫描 ,在铜片基体上生成 Cu O薄膜。采用阴极电沉积法 ,以 0. 1 mol/L的 2 CH COONa和 0. 02 mol/L的 CH COO Cu溶液作为电解液 ,控制恒电位 - 245 mV vs SEC 、 室温条件 3 3 2 下电沉积 2 h~3 h在石墨板上制得 Cu O薄膜。分别用两种方法制得的薄膜催化剂对甲基橙溶液进行 2 了光催化及光电催化降解。实验表明 :铜片基体上膜的降解效果稍好于石墨基体上的膜 ;当加偏压后 , 偏压越大降解率越高。在反应器中 ,两种不同基体制备的薄膜 ,其光电催化降解甲基橙的降解率均可达 70%. 关键词 :循环伏安法 ;阴极沉积法 ; Cu O;光催化 ;制备 ;降解 2 中图分类号 : TQ150. 9 文献标识码 : A 光催化氧化技术是利用紫外光或近紫外光激 1. 1 循环伏安法制备 Cu O薄膜 2 活半导体价带上的光生空穴产生氧化能力极强的 实验过程中取一薄铜片打磨光滑 ,剪下一部分 氢氧自由基 ,使水中难于降解的有机物完全矿 约 3 cm × 1. 5 cm ,将其作为电极材料用。实验中 [ 1~3 ] 化 ,降解过程可在常温下进行 ,因此是一种很有 采用三电极体系 ,以铜片作为工作电极 ,饱和甘汞 [ 4~5 ] 前景的水处理技术 。目前光催化处理废水因其 电极作为参比电极 ,铂电极作为对电极 ,在 1 mol/L 具有工艺简单、 能耗低和效率高等特点而受到关 的 KOH 溶液中 ,通过 EC2 Lab软件控制 Prinston [ 6~8 ] 注 ,光催化也成为近年来多相催化研究中的热 VMP2型恒电位仪进行电化学实验。选用循环伏安 点之一。目前研究较多的光催化剂是 TiO ,但是 2 法在相对饱和甘汞电极电势 - 1 000 mV~ - 450 TiO 的禁带宽度为 3. 2 eV ,一般只能利用紫外和近 2 mV之间以 1 mV / s的速度扫描 ,生成的 Cu O薄膜 2 紫外光激发 ,所以极大地限制了其在工业上的应 用去离子水冲洗后在空气中?干备用。 用。Cu O是一种典型的 p型半导体材料 ,禁带宽度 2 1. 2 阴极沉积法制备 Cu O薄膜 2 为 2. 1 eV ,能在可见光的照射下 ,将水分解为 H 和 2 [ 8 ] 实验过程中用二次蒸馏水配制 0. 1 mol/L的 O 。目前对 Cu O光催化降解废水的报道很少 , 2 2 CH COONa和 0. 02 mol/L的 CH COO Cu溶液 , 本文分别采用循环伏安法和阴极沉淀法制备了不同 3 3 2 二者按 3∶2的体积比加入 50 m l的烧杯中作为电 基体负载下的 Cu O薄膜光催化剂 ,并用其对含甲基 2 解液 ,用醋酸或 NaOH溶液调节 pH为 5. 8.采用以 橙废水进行降解 ,比较了不同条件下的降解结果。 石墨板作为工作电极 ,铂片为辅助电极 ,饱和甘汞 1 实验部分 电极作参比电极的三电极体系 ,利用恒电位 /电流 收稿日期 : 2008211224 作者简介 :刘军 1967 - ,男 ,副教授 ,主要研究方向为反应工程。第 30卷第 5期 刘 军 ,等 : Cu O薄膜的制备及其光 电 催化降解甲基橙性能研究 2 433 仪在恒电位 - 245 mV vs SCE 、 室温条件下电沉积 Cu O. 2 2 h~3 h,实验结束后可在石墨板上看到一层呈淡 红色的 Cu O膜。 2 将波长为 365 nm,功率为 375 W的紫外灯置于 反应器上方 ,紫外光经反射罩反射在反应器上方产 生平行光源。以甲基橙降解为模型反应 ,将基体上 制备的 Cu O膜放入 50 m l浓度为 10 mg/L的甲基 2 橙溶液中。采用恒定电位仪以负载有 Cu O薄膜的 2 铜片和石墨基体作为工作电极 ,铜丝为对电极给溶 图 2 Cu O H 的循环