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包覆纳米二氧化硅的照明LED用
YAG荧光粉的制备及其发光性能研究
李 峰 梅 桢 苟少秋
(西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安 710048)
摘 要 :采用物理 吸附法制备 了纳米 SiO2包膜 的 LED 用 YAG 荧光粉 。对样 品进 行 了扫描 电镜分析 (SEM )
与发射光谱、相对亮度的测定。实验结果表 明:采用物理吸附的方式实现 了纳米 SiO:的包覆 ;与未包覆样品相比,
SiO:包覆后YAG荧光粉在 460nm蓝光激发下的发射光谱会产生微小的蓝移,而对其激发光谱没有任何影响;此
外,SiO 包覆有效地提高了YAG:Ce”荧光粉的相对亮度,并且亮度随包覆量的变化而变化.
关键词 :YAG;纳米二氧化硅 ;发光特性
目前商品化的 白光 LED产品以 “蓝光 LED+黄色荧 捅图中未包覆样 品颗粒)J[=滑 的 而不同,其样 品颗粒表
光粉”的技术模式最为成熟 llI。而这种方式所用的黄色 面弥散分布着一些细小的纳米颗粒 该现象应为纳米
荧光粉主要是 Y3Al5Ol2:Ce。 (一般简写为 YAG)12-51。然 SiO2在YAG荧光粉颗粒表面I吸附所致 。
而,随着 LED技术的快速发展,对 YAG的光效和亮度
提出了更高的要求 .为此.国内外许多研究者在合成T
艺改善、共掺杂等常规方法上做了大量的研究工作 Z[6~j,
基本 已达到这些方法 的极限 此外 ,我 国国产 的LED
荧光粉与国际厂商的产品仍有一定差距 ,基本 比Et亚 、
欧司朗等国际知名企业的产品的亮度低 3%~10%,这在
较大程度上影响了我国企业 的产 品 占领 国内外市场。为
了进一步改善 YA(荧光粉的光效和亮度 .提高国产
图 1 包覆前 (插 图)与包覆后YAG 荧光粉 的SEM 照片
YAG荧光粉的质量 ,本文采用纳米二氧化硅表面包覆
图2是在 46Onot蓝光激发下,不 同SiO 包筱质量
的方法 ,从一个新的角度改善 YAG荧光粉的发光性能。
1 实验 分数的样品的发射光谱 。从图_1『『 ,Si()包覆对 YAG
103·5
选用 陕西彩虹荧光材料有 限公司生产 的YAG荧光
103.0
粉作为研究对象,采用物理吸附法,将纳米二氧化硅与
102.5
YAG荧光粉按一定质量分数 (sio2,YAG=0.02%~0.8%)
102.0
放入去离子水 中,搅拌 2h后过滤 、洗涤并干燥 ,获得
所需包覆样品 。将包覆前后 的YAG荧光粉用 JSM一 1(J1.5
娶 l)【l_O
6700F型场发射扫描 电镜观察颗粒表面形貌 ,用
FLUPROMAX一4荧光光谱仪测试发射光谱与亮度 。 10()·5
2 结果与讨论 100.O
2.1 实验结果 g9,5
O 0.1% 0.2% 0,4% 0.6% 0.8%
图 l是 SiO:包覆量为 0.1%的样 品的SEM照片 ,与
Si)(2/Y.jAl02:(、e (wt%)
基金项 目:陕西省教育厅
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