图解电镀铜填孑L 机理.pdfVIP

印制电路信息 2011 No．9 孔化与电镀 Metallization＆Platingr 1 图解电镀铜填孑L机理 杨智勤 张 曦 陆 然 韩卓江 (无锡赫普轻工设备技术有限公司，江苏 无锡 214125) 摘 要 随着PcB的轻、薄、小及高密互连的发展趋势，电镀铜填孔工艺已得到了广泛的应用，本文根据过程监控 切片图，闻k~r迎,-填孔电镀作用机理，分别介绍TCEAC、cDA电镀铜填孔机理和孔壁铜完整性对电镀铜填孔的影响，以期加 深广大PcB业者对盲孔电镀铜填孔工艺的了解。 关键词 填子L：CEAC；CDA 中图分类号：TN41 文献标识码：A 文章编号：1009—0096(201 1)9-001 1-03 Introduction of microvia filling mechanism by photography YANG Zhi—qin ZHANGXi LURan HANZhuo-jiang Abstract Microvia filling by copper electroplating has been an important process technology in fabrication of PCB that diminished in size and circuit densities．This article introduced the microvia filling mechanism by photography,which included Curvature Enhanced Accelerator Coverage(CEAC)mechanism and Convection Dependent Adsorption(CDA)mechanism and integrality of microvia wal1．It would deepen the reader’S understanding in this technology． Key words microvia filling；CEAC；CDA 1 刖 吾 2 电镀铜填子L机理 近年来，电子产品追求轻薄短小的目标，上 2．1 CEAC电镀铜填孔机理 游Ic元件日趋微小化，在有限的表面上，装载更多 的微型器件促使印制电路板的设计趋向高精度、高 盲孔电镀铜填孔的技术，首次由IBM应用于双镶 密度、小孔径方面发展，传统的过孔与导通孔互联 嵌制程技术，利用电镀铜完成IC晶片的内连接导线制 的多层PCB板逐渐已不能满足产品需求。同时半导 作。IBM公司提出IC上的盲孔电镀铜填孔机理，认为 体行业的元件垂直整合、直接连通，尽量减少透过 之所以出现电镀时产生 “孔底上移”现象的原因，是 电路板或封装基板来做电讯互通，这些高密度的互 因为添加剂的吸附、消耗和扩散的作用，电镀铜添加 联技术，从上游的半导体制程到中游的封装载板制 剂抑制了铜离子的电化学沉积，当其吸附在阴极上会 程，一直到下游的电路板制程，都需要电镀铜填孔 阻碍铜离子的镀析。同时，添加剂本身会被阴极电位 技术，为了适应印制电路板的发展，盲孔的电镀铜 裂解，所以沿着孔口到孔底，存在添加剂的浓度差， 填孔工艺得到了广泛研究【l】。 孔底位置，添加剂浓度低，因此铜沉积的速率沿着孔 本文主要从电镀铜填孔过程监控切片图分析其 口到孔底越来越快，产生 “孔底上移”的作用，图1 机理模型，以期加深广大业者对电镀铜填孔机理的 是盲孔电镀铜填孑L的切片图，由图1可知，盲孔基本