金属辅助湿法化学刻蚀黑硅机理的探讨.pdfVIP

ofYunnanNormal 云南师范大学学报(自然科学版) Journal University 2013年9月．33卷5期(V01．33No．5) 金属辅助湿法化学刻蚀黑硅机理的探讨+ 廖承菌， 杨培志， 廖华， 李学铭 (1．可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室，云南昆明650092； 2．云南师范大学太阳能研究所，云南昆明650092) 摘要：为了理解金属辅助湿法化学刻蚀的机理，单晶硅片分别在氢氟酸／过氧化氢／氯金酸 (HF／H：0：／Cu(NO，)：)体系中被刻蚀，经过三种体系刻蚀的单晶硅样品的减重量与减薄量之比值分别 约为1．622、0．960、0．560．利用电动模型分析认为：差异性刻蚀的发生主要取决于电子的得失和电荷的 传输两个方面。 关键词：黑硅；增强广谱吸收；金字塔绒面 中图分类号：TN305．2文献标志码：A 文章编号： 在大部分湿法化学刻蚀制备黑硅的研究中都使用了金属催化剂，这表明金属对黑硅的形成至关重 要，通过对其刻蚀机理的研究有助于进一步优化制备工艺，改善材料性能，降低制备成本。目前，关于金 属辅助湿法化学刻蚀机理的研究主要取得了以下成果：SvetoslavKoynov等¨o通过实验证明金具有催化 作用，并指出催化的产生是硅表面局部存在电化学反应，其中金作阴极，暴露的硅作为阳极。Kuiqing等 早先[21指出树枝状金属(银)形成和局部电化学反应是硅纳米线形成机理。后来日。通过密闭容器制备 硅纳米结构，从实验上证明金属粒子是硅在氢氟酸中产生各向异性腐蚀的关键，而不仅仅是起辅助作 用，提出了电动模型，较为系统地阐明了孔洞形成机理及孔洞和纳米线与晶向的依赖关系。Agnieszka Kurek等M1采用磁控溅射在硅表面沉积金膜，然后通过超声波辅助在刻蚀溶液中制备黑硅分析认为，金 在刻蚀过程中起催化作用，硅以六氟化硅离子的形式剥离。 尚未作出解释，另一方面，文献[3，4]对刻蚀机理的研究所基于的实验方法对制备应用于太阳电池的黑 硅材料不具有成本和技术优势。即对其机理的理解应该有助于开发适合于太阳电池的简易高效廉价的 制备方法才是我们所关心的。因此，本节通过分析实验获得的单晶硅片减重量与减薄量比值的数值，对 金、银、铜所产生的刻蚀效差异性给出了合理的定性解释，对制备应用于太阳电池的黑硅材料具有参考 价值。 1 实验 制备流程如图1所示。 + 收稿日期：2013—07—11 基金项目：国家自然科学基金资助项目U1037604)． hotmail．COIll． 万方数据 第4期 廖承菌，等：金属辅助湿法化学刻蚀黑硅机理的探讨 ·23· mM 原切硅片被浸入混合溶液(30％H202，40％HF，体积比为4：l，0．024HAuCl。)中依次处理2． 5，3，3．5，4min，然后经去离子水冲洗干净。为去除硅表面膜状物，硅片被侵入到混合溶液(65％HNO，， H：0，体积比为1：2)中处理1～3min，并用去离子水洗净后晾干。 图l 样品1制备流程 of 1 Fig．1Preparingproceduresample 样品2制备流程如图2所示。 AgN03) H：0，体积比为1：2)中处理1～3min；最后经去离子水洗净后晾干。 ，7一——