LED物理特性研究实验.pdfVIP

LED LED LLEEDD物理特性研究实验 【实验目的】 1. 了解LED 的结构、发光机制和物理特性。 2. 自主设计测量方案，研究LED 的伏安特性、光学特性及热学特性。 【实验内容】 1. 自主设计电路发光测量二极管的I-V 特性，测量LED 的开启电压。（必做） 2. 测量LED 的I-P 特性。（必做） 3. LED 的I-V 特性温度效应研究。（必做） 4. LED 的I-P 特性温度效应研究。（必做） 5. LED 的光谱特性研究 【课前预习】 1. 查阅参考文献资料，学习各种光电传感器的工作原理及物理特性。 2. 思考伏安特性、光照特性、光谱特性测试的实现方法。 【实验原理】 LED I-V LED I-V 1、LLEEDD的II--VV特性 LED多以III-V族或II-Ⅵ族化合物半导 体材料为主制成pn结的光电器件。它具备pn 结结型器件相似的电学特性。LED的I-V特性 具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加 正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻， 如图4所示。 (1) 正向死区：（图oa或oa′段）a点对应 的电压Va为开启电压，当V＜Va时，外加电 场尚克服不了因载流子扩散而形成势垒电场， 此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同， GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V， 图1 LED的V-I特性曲线 GaN为2.5V。 （2）正向工作区：当V＞V 时，显示出欧姆导通特性，正向工作区电流I 与外加电压呈 a F 指数关系 ： V I = I emkT （1.4） F 0 式中 为复合因子， 为波尔兹曼常数， 为温度。 m k T （3）反向死区 ： ＜0时，向 结加反向偏压 V pn V= −V 时，反向漏电流I （V= -5V）时，GaP为0V，GaN为10uA。 R R 4 4 44 反向击穿区 ＜- ， 称为反向击穿电压； 电压对应的 为反向漏 （ ） V V V V I R R R R 电流。当反向偏压一直增加使 ＞- 时，则出现 突然增加而出现击穿现象。由于所用 V V I R R 半导体化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压 也不同。目前已有反向击穿电压 V R 超过-200V的LED问世。 I-P I-P 2、发光二极管的II--PP特性测量 在结构上，由于LED 与LD 相比没有光学谐振腔。因此，LD 和LED 的功率与电流的 P-I 关系特性曲线则有很大的差别。LED 的P-I 曲线基本上是一条近似的线性直线。 P LD LED