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第22卷第5期 中 国 表 面 工 程 、，01．22 NO．5
2009年10月 CHINASURFACEENGINEER盯呵G October2009
doi：10．3969，j．issn．1007-9289．2009．05．007
掺钨氧化钒薄膜的制备及研究
龙航宇1．一，余志明L2，陈爽L2，魏秋平L2，刘学璋12
(1．中南大学材料科学与工程学院，长沙410083；2．有色金属材料科学与工程教育部重点实验室，长沙410083)
摘 要：采用复合靶磁控溅射法在Si02玻璃、普通玻璃和Si(100)上沉积氧化钒薄膜，然后对其进行真空退火。分别
利用x射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计和红外光谱仪分析样品的物相、表面形貌和光透过率。结果
表明：500℃下退火lh，Si02玻璃衬底上沉积40rain的薄膜主要物相为V02和v205，退火时间延长到2h，薄膜主
要物相为V02，薄膜晶粒尺寸均匀，晶粒大小约为100 min的薄膜在500℃下退火2h后，物
tim；Si(ioo)上沉积40
相为低于+4价的钒氧化物；掺钨后薄膜可见光和红外光的透过率都有提高。
关键词：磁控溅射；掺钨；V02
中图分类号：TGl46．4 文献标识码：A 文章编号：1007-9289(2009)05-003l-05
and of VanadiumOxideThinFilm
PreparationIvestigationW-doped
LONG
Hang-yul’2，YUZhi-min91’2，CHENShuan91’2，WEIQiu-pin91”，LIUXue-zhan91，2
of for
(1．SchoolMaterialScienceand South
Engineering，CentralUniversity,Changsha，410083；2．KeyLaboratory
NonferrousMaterialsScienceand ofMinistryofEducation,Changsha,410083)
Engineering
thin
Abstract：111efilmsof vanadiumoxideswere on and direct
tungstendoped depositedSi02glass，floatglassSi(100)by
currentreactive andthenannealedinvacuum．111e and
magnetronsputtering phasecomposition．surfacemorphology
infrared
transmittanceweredetected force and aswellasultraviolet
by聊diffractometer,atomicmicroscopy spectrometer
visible Theresultsshow the timeof40minthefilmson
that,with Si02
spectrophotometer,respectively sputtering
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