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第29卷第11期 光 学 学 报 V01．29，No．11
2009年11月 ACTAOPTICASINICA
文章编号：0253—2239(2009)11-3232—04
ZnO／P．Si异质结的光电特性研究
齐红霞1’2 陈传祥2
(1徐州师范大学物理与电子工程学院，江苏徐州221116；2济宁学院物理系，山东曲阜273155)
摘要利用脉冲激光沉积方法在P-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜，制备zn0／Psi异质结，研究衬底温度对异质结
向暗电流随着衬底温度的升高略有增加，在550℃下制备的样品具有最明显的光电效应。ZnO／P—Si异质结对可见
光和紫外光呈现出不同的响应性。在可见光照射下，光电流随反向偏压急剧增大，偏压增大到某一值时，光电流增
速变小，而在紫外光下，光电流有逐渐增大的趋势。根据ZnO的透射谱认为，可见光和紫外光是异质结不同的耗尽
区诱导电子一空穴对产生光电流的。
关键词 薄膜光学；光电效应；脉冲激光沉积；ZnO
中图分类号 TN364文献标识码 A doi：10．3788／AO3232
PhotoeIectricEffectsof
ZnO／P-Si
Heterojunction
Qi Chen
Hongxial2Chuanxian92
of andElectronic Normal 22111
CollegePhysics Engineering，XuzhouUniversity，Xuzhou，Jiangsu
／1 6，China、
＼ 2 273155，China ／
DepartmentofPhysics，JiningUniversity，Qufu，Shandong
AbstraetZnO／P—Si arefabricated 1aser ofZn0filmsonP—Sisubstrates．The
heterojunctionsbypulsed deposition
substrate of400℃，500℃，550℃and600℃aretakenfortheZnOfilm the
temperatures deposition．A11
show behaviorsandthereversedarkcurrentincreaseswiththesubstrate
heterojunctionstypicalrectifying
at550℃showsthebest effects．Therearedifferent／-V
temperature．Thesampleprepared photoelectric
characteristicsasthe heteroiunctioniS tovisibleand
ZnO／P—Si exposed photocurrent
increasesintheinitialseveral acertainreversebias the is
rapidly voltages，butslowlybe
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