表面势垒对梯度掺杂GaN光电阴极电子逸出几率的影响.pdfVIP

第30卷第5期 计 算 物 理 V01．30，No．5 OFCOMPUTATIONALPHYSICS 2013年9月 CHINESEJOURNAL Sep．，2013 文章编号：1001-246X(2013)05-0739-06 表面势垒对梯度掺杂GaN光电阴极电子 逸出几率的影响 王洪刚1’2， 钱芸生h， 杜玉杰1， 任 玲1， 徐 源1 (1．南京理工大学电子工程与光电技术学院，江苏南京210094；2．鲁东大学信息与电气T程学院，山东烟台264025) 摘要：研究表面势垒对梯度掺杂GaN光电阴极电子逸出几率的影响．计算梯度掺杂透射式GaN光电阴极的电 子能量分布及逸出几率，结果显示梯度掺杂与均匀掺杂相比，可以获得更大的电子逸出几率；l势垒对电子逸出几 率的影响显著，而lI势垒影响较小．利用GaN光电阴极多信息量测试系统，测试两种GaN阴极样品的光电流．实验 结果表明，梯度掺杂GaN样品比均匀掺杂电子逸出几率更大；单独进行cs激活形成的I势垒对电子逸出几率有显 著影响，而Cs／O共同激活形成的u势垒对其影响较小． GaN光电阴极；电子逸出几率 关键词：表面势垒；梯度掺杂；NEA 中图分类号：0462．3 文献标识码：A 0 引言 电子逸出几率是表征NEAGaN光电阴极发射性能的重要参数之一，研究表面势垒的影响，对提高电子 逸出几率，改善光电发射性能有重要意义．均匀掺杂GaAs及GaN光电阴极电子逸出几率及电子能量分布 的计算已由杜晓晴、邹继军、杨永富完成¨。1．随着梯度掺杂GaN光电阴极的提出¨1，需要对影响其电子逸 出几率的因素进行深入研究，以便为提高阴极光电发射性能提供理论支持． 对梯度掺杂与均匀掺杂透射式NEAGaN光电阴极的电子能量分布及逸出几率进行计算对比，并研究表 面势垒对其影响．为验证计算结果，利用GaN光电阴极多信息量评估系统，测试了两种掺杂结构的GaN光 电阴极样品的光电流，理论计算与实验结果一致．解释了梯度掺杂样品比均匀掺杂样品有更大电子逸出几 率的原因，阐明了表面势垒对电子逸出几率的影响机理．这有助于提高GaN光电阴极的电子逸出几率，对改 进激活工艺具有指导意义． 1 理论计算 1．1 梯度掺杂透射式GaN光电阴极的能带结构 梯度掺杂透射式GaN光电阴极的能带结构如图1 所示．图中E，为费米能级，E。为价带顶能级，E。为导带浦 衬 底能级，E…为真空能级，E。为禁带宽度，s，，s：，s，，s．是 底 梯度掺杂浓度，ttJ。，t‘72，埘3，埘。分别为sl，s2，s3，＆对应 的能带弯曲区宽度． 缓冲层 GaN发射联 1．2 输运到阴极表面的电子能量分布 图1 梯度掺杂透射式GaN光电阴极能带结构 由光电发射“三阶模型”可知”】，价带中的电子吸收 Fig．1Bandstructureofa gradient-doping 光子能量后，激发进入导带并向阴极表面输运，该过程包 transmission-mode GaN photocathode 括：电子在阴极体内的输运及在表面能带弯曲区的输运． 透射式阴极的高能电子主要在后界面处产生，经过较长距离输运到能带弯曲区时，绝大部分都在导带底热化， 收稿日期：2012—12—11；修回日期：2013—04—07 基金项目：国家自然科学基金资助项目 作者简介：王洪刚(197