ZnS111表面掺杂Mn的电子结构和磁性的第一性原理研究.pdfVIP

计 算 物 理 V01．30．No．5 第30卷第5期 PHYSICS OFCOMPUTATIONAL Sep．。2013 2013年9月 CHINESEJOURNAL 文章编号：1001．246X(2013)05-0783-08 1 ZnS(11)表面掺杂Mn的电子结构和磁性的 第一性原理研究 宋德王1， 牛 原1， 肖黎鸥2， 李 丹1 100044) (1．北京交通大学物理系，北京100044；2．北京交通大学材料科学与工程研究所，北京 摘要：应用基于密度泛函理论的第一性原理，研究Mn原子掺杂在ZnS(111)表面的电子结构和磁性．对于单原 子的掺杂组态，替位表面第一层的zn原子时体系形成能最低，说明该层是最稳定的掺杂位置．体系总磁矩取决 于Mn原子的局域环境．而对于双掺杂组态，当Mn与Mn之间呈短程铁磁耦合作用时体系最稳定．这可由Mn原 K，明显高于室温，具有理论指导意 子和近邻s原子的p-d杂化作用解释．此时，体系的居里温度估算值为469 义．Mn原子和受主半导体之间的相互作用是自旋极化产生的主要原因．计算结果表明，该掺杂材料可以很好的 用来制作稀磁半导体，具有良好的应用前景． 关键词：ZnS(111)表面；第一性原理；电子结构；稀磁半导体 中图分类号：0469 文献标识码：A O 引言 自从Mn掺杂的GaAs材料中发现铁磁耦合作用和110K的居里温度以来，稀磁半导体(DMS)这一特殊 概念就被研究者们广泛讨论．由于可在同一材料中同时运用电子电荷和自旋两种自由度…，DMS产生出许 的半导体中而成的，是制造自旋电子器件的理想候选物．近年来，大量的工作致力于DMS的研究，以探索 在自旋电子学领域更为可观的应用前景旧“。． 为了得到高于室温的居里温度，愈来愈多的研究集中于宽禁带半导体一。12|．ZnS的禁带宽度为 3．68 eV，是众多学者探索电子结构和磁性时所青睐的候选物之一．与此同时，作为稀磁半导体的重要成 又采用第一性原理的方法模拟了(ZnS)。：团簇材料掺杂Mn的情形，并指出替位掺杂时体系能量最低．由此 可见，大量的研究工作都致力于电子结构和铁磁耦合机制以及居里温度方面． 尽管Mn掺杂的ZnS块材，团簇，管状，棒状和线状等已经做出了许多实验和理论的研究，但在高于室 温的稳定DMS材料方面却鲜有报道．相比而言，表面掺杂，尤其是表面掺杂Mn原子的情形值得引起关注． 因为Erwin等’的研究表明，掺杂过程中掺杂原子更易于被受主表面所吸附．截至目前，Mn掺杂在ZnS (1 11)表面的结构，能量稳定性，电子和磁性性质还尚未清楚．在ZnS低密勒指数表面中，(111)表面是紧 密密排的且具有高对称性，其掺杂Mn的研究可以帮助深入了解该材料的物理及化学性质．再者，实验上 0。． 通过x射线衍射还证明了ZnS(111)表面具有最高的峰值，非常易于观察¨7。2 对于Mn原子能否和近邻S原子完美结合，进而产生所需的磁矩和居里温度暂不清楚，本文采用第一 性原理方法研究Mn掺杂在ZnS(111)表面的多种代表性组态，包括单原子掺杂以及双原子掺杂的铁磁和反 1 铁磁情形，并预测Mn掺杂ZnS(11)表面体系居里温度高于室温的可能性． 收稿日期：2013—01—07；修回日期：2013—04—11 项资金(2011JBZ013，2009JBMl05，2009JBZ019)和国家国际科技合作专项资助项目 作者简介：宋德王(1987一)，男，硕士生，主要从事光电子材料与器件研究，E-mail：so“gdewan919