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第33卷第10期 发 光 学 报 V01．33No．10
2012年10月 0ct．．2012
CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE
文章编号：1000-7032(2012)10．1055-05
高功函数的钛酸镧掺杂氧化铟透明导电薄膜的
制备与光电特性研究
田苗苗1‘2，李春杰1，贺小光1，郭峰1，范 翊3，王 宁4+
(1．长春师范学院物理学院，吉林长春130032；
2．中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室，吉林长春130022；
3．发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春130033；
4．中国科学院长春应用化学研究所高分子复合材料工程实验室，吉林长春 130022)
摘要：制备了一种新型的具有高功函数的掺钛酸镧(LaTiO，)的氧化铟(ILTO)三元透明导电氧化物薄膜，并
研究了其光电特性。EDX能谱测试结果证实了样品中In、La及Ti的存在，薄膜的掺杂具有良好的均匀性及
一致性。由原子力显微镜测试可知，在一个5斗m×5斗m的扫描区域内，样品的表面粗糙度(RMS)较小，为
l nm量级。ILTO薄膜在可见光区域的平均透过率超过了85％，其功函数接近于金的功函数(5．2eV左右)，
远高于目前商业化的ITO的功函数(4．5—4．7eV)。由于导电薄膜的功函数在光电器件中对异质结界面的势
垒高度有着直接影响，较高的功函数可以提高载流子的注入及抽取能力，因此采用ILTO作为光电器件的阳
极将有望改善器件的性能。
关键词：功函数；掺杂；透明导电薄膜；光致发光
中图分类号：TN383+．1文献标识码：A DOI：10．3788／fgx1055
andCharacteristicsof Work-functionand
Preparation High
Ultraviolet-luminescenceLanthanum
Titanate-doped
OxideThinFilms
Indium
TIAN
Miao—mia01一，LIChun-jiel，HEXiao—guan91，
GUO
Fen91，FANYi3，WANGNin94’
of Normal 130022，China；
(1，CollegePhysics，ChangchunUniversity，Changchun
and Institute
2．State of Chemistry
KeyLaboratoryofPolymerPhysicsChemistry，ChangchunApplied
Chin∞e l30022，China；
AcademyofSciences．Changchun
3．St
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