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第33卷第10期 发 光 学 报 VoL33 No.10
CE Oct.,2012
2012年10月 CHINESE OFLUMINESCEN
JOURNAL
132-06
文章编号:1000-7032(2012)10.1
人体模式静电对GaN基蓝光LED
载流子运动及其可靠性的影响
吴国庆,郭伟玲8,朱彦旭,刘建朋
(北京工业大学北京光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京 100124)
500
摘要:对GaN基蓝光发光二极管(LED)分别施加一400,一800,一1200,一1 V的反向人体模式静电打
击.每次静电打击后.测量LED样品电学参数和光学参数的变化,从理论上分析了静电对LED可靠性的影响。
实验发现:对GaN基蓝光LED进行人体模式下的静电打击后,其,-y特性曲线发生变形,光通量减小,老化时
性能衰减的速率加快.这是由于受静电打击后在LED芯片内部产生了二次缺陷和熔融通道。对LED在不同
温度下进行了,.y特性曲线的测量。实验结论认为未受静电打击的LED中浅能级离化占主导地位,受静电打
击的LED中深能级离化占主导地位。静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能
级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的LED性能退化。
关键词:LED;静电:可靠性
中图分类号:TN383 文献标识码:A 132
DOI:10.3788/fgx1
EffectsofHuman Movement
ModeElectrostaticonCarrier
Body
and Diode
The ofGaN--basedBlue
Reliability Light··emitting
WU
Guo-qing,GUOWei—ling+,ZHUYan·XU,LIUJian—peng
(KeyLaboratoryofOpto·ec折onwsTechnology,BeringUniversityofTechnology,Beijing100124,China)
$CorrespondingAuthor.E—mail:guoweiling@bjut.edu.ca
i
200
blue diodeswere bias and
Abstract:GaN—based of一400,一800,一1
light—emitting applied
—l 500Velectrostaticinhumanm
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