7类金刚石薄膜的制备(word).docVIP

物 理 实 验 中 心 实验指导书 类金刚石薄膜的制备 类金刚石薄膜的制备 1971 年德国的Aisenberg 和Chabot 采用碳离子束首次制备出了具有金刚石特征的非晶态碳膜 , 由于所制备的薄膜具有与金刚石相似的性能, Aisenberg 于1973 年首次把它称之为类金刚石( DLC) 膜。DLC 膜有着和金刚石几乎一样的性质, 如高硬度、耐磨损、高表面光洁度、高电阻率、优良的场发射性能, 高透光率及化学惰性等, 它的产品广泛应用在机械、电子、微电子机械系统(MEMS)、光学和生物医学等各个领域。DLC 膜的沉积温度低、表面平滑, 具有比金刚石膜更高的性价比, 且在相当广泛的领域内可以代替金刚石膜, 所以自80 年代以来一直是研究的热点 。类金刚石(DLC)的低摩擦系数和高耐磨性使DLC薄膜已在切削工具、磁存储 、人工关节等领域得到应用。 一、实验目的 1.了解类金刚石薄膜的性能与表征方法。 2.通过制备类金刚石薄膜，掌握薄膜制备的基本方法。 3.分析探索制备优质类金刚石薄膜的最佳工艺以条件，从中学习从事科学研究的一些方法。 二、实验原理 2.1.类金刚石薄膜的结构与性能 2.1.1结构 类金刚石(DLC)是碳的一种非晶态，它含有大量的键。自人类首次使用离子束沉积技术成功制备出硬质碳膜或类金刚石薄膜(DLC)以来，有关这方面的研究一直受到了人们的极大关注 。经过三十多年的努力，人们对类金刚石薄膜(DLC)的结构与性能已经有了深入的了解：类金刚石薄膜(DLC)是由 杂化和杂化碳组成的亚稳态无定形碳，具有较高硬度、良好的化学稳定性和生物相容性及独特的光学性能，尤其是良好的机械和摩擦学性能，因此在轴承、齿轮、磁盘保护膜及微电子机械系统(MEMS)等方面显示了良好的应用前景。 2.1.2力学性能 DLC 膜具有高硬度、高弹性模量、优异的耐磨性和低摩擦系数, 是一种性能优异的表面抗磨损改性膜，真空耐磨性能优于 ，研究表明摩擦过程中DLC 膜的石墨化是决定其具有低摩擦系数的关键。但是DLC 膜有很高的内应力(通常为压应力)，薄膜的内应力是决定薄膜的稳定性和使用寿命并影响其性能的重要因素, 而且内应力也会限制膜的沉积厚度。一般认为影响DLC 膜中内应力的最重要的参数是氢含量和的比率， DLC 膜的机械性能由 决定, 电学和光学性能由决定, 的含量越多, 薄膜的性能越接近于金刚石。不同的沉积方法和制备工艺对DLC 膜的结构起着重要的影响, 从而也影响着DLC 膜的性能。研究发现含氢量小于1%的DLC 膜应力较低，膜的均匀性对内应力也有影响。对含量高的DLC 膜，在高真空或惰性环境中退火可以显著降低内应力并且硬度保持不变或有小幅上升； 通过在膜中掺杂N、B、Si、O 或金属( 如Cr、Ti、W、Cu 等) 也可以减小内应力，用梯度膜或多层膜来减小DLC 膜的内应力也取得了良好的效果， 然而这些内应力的减小都是以硬度和弹性模量的降低为代价取得的。 2.1.3.电学性能 DLC 膜的电学特性在准金属与绝缘体之间变化。DLC 膜的电阻率敏感于内部结构变化, 随沉积技术和工艺参数的改变其电阻率为 之间。在DLC 膜中掺入金属或氮元素可使电阻率降低几个数量级，这与掺杂诱发的薄膜石墨化有关。尽管DLC 膜具有优异的电学特性, 但是由于其具有相对较高的缺陷密度, 因此并不适合作为半导体材料。DLC 膜具有较低的电子亲和势，是一种优异的冷阴极场发射材料。其潜在的电学应用是作为薄膜场发射显示器的阴极材料以及太阳能电池、磁介质保护膜和集成电路的掩膜等。 2.1.4光学性能 DLC 膜在可见及近红外区具有很高的透过率。DLC 膜的光学带隙宽度一般在以下，带隙宽度对沉积方法和工艺参数比较敏感。DLC膜的折射率在 之间， 受沉积条件和薄膜中氢含量的影响。折射率通常随着薄膜中键合态氢含量的减少而增加。DLC 膜在光学上的应用主要表现为光学增透保护膜以及各种装饰膜。 2.1.5化学性能 DLC 膜在腐蚀介质中表现出极高的化学惰性并有着很好的疏水性, 可以有效阻挡氧气和溶液的渗透, 从而能够保护基底材料免遭外界介质的腐蚀 。但含氢和无氢DLC 膜都是亚稳态的态的材料，热稳定性较差, 无氢DLC 膜一般在450℃时即与大气中的氧气发生氧化反应， 含氢DLC 膜在高于200℃左右即发生氢解离石墨化转变， 但在真空中两者的热稳定性都相应有所提高。 2.2.类金刚石薄膜的表征方法 Raman光谱是常用来表征薄膜结构的一种有效方法。通常认为典型DLC膜Raman光谱的结构表现为两个宽峰，类似于对多晶石墨的Raman光谱在高波数端G峰(graphite峰位于1550-1 处)、D峰(disorder峰位于1350 cm-1)。DLC主要由金刚石键()和石墨键()两部分组成。