半导体制程用湿式化学品的发展趋势.docVIP

半导体制程用湿式化学品的发展趋势微粒子的污染一般来自制程用中所使用的超纯水,气体及化学品,以及机台,晶舟甚至是制程线上的人员.藉由静电,凡得瓦尔力,毛细管现象或化学键而吸附於晶圆表面,或者陷入晶圆表面细微凹凸而生成的沟渠之中.金属不纯物主要来自於离子植入,乾式蚀刻及光阻灰化时,因离子撞击机台内壁所造成;另外制程环境及化学品与化学品容器本身,也是可能的污染来源之一.有机污染物则多来自光阻的残留物,另外墙壁的油漆,帮浦的机油,塑胶容器以及作业员的身体及衣物也都是可能的来源.自然生成氧化层肇因於晶圆表面暴露於空气或水中的溶氧,而氧将晶圆表面的矽氢键(Si-H)氧化成为羟基(Si-OH),或是将矽氧化成为二氧化矽所生成,其中反应的速率与溶氧浓度即浸泡时间有关.最后,晶圆表面的微粗糙一般来自於洁净制程中SC-1的制程,并与清洗溶液中氨水及双氧水的混和比例,制程温度及洗净时间有直接的关联.湿式化学品清洗机制NH4OH/H2O2/H2O (SC-1, APM):利用氨水的弱碱性活化矽晶圆及微粒子表面,使晶圆表面与微粒子间相互排斥而达到洗净的目的;双氧水也可将矽晶圆表面氧化,藉由氨水对二氧化矽的微蚀刻达到去除微粒子的效果.另外氨水与部分过渡金属离子易形成可溶性金属错合物,也可同时去除部分金属不纯物.一般的APM制程是以NH4OH:H2O2:H2O=0.05~1:1:5的体积比在70下进行,由於氨水的沸点较低且APM步骤容易造成表面微粗糙的现象,因此氨水与双氧水浓度比例的控制在所有洗净制程中最为困难,却也是影响制程良率的关键.HCl/H2O2/H2O (SC-2, HPM):HPM步骤在金属杂质的去除上扮演重要的角色.由於一般的金属氯盐皆可轻易的溶於水中,因此HPM制程利用双氧水氧化污染的金属,再以盐酸与金属离子生成可溶性氯化物而溶解.制程中最常使用的是HCl:H2O2:H2O=1:1:6的体积比,在70下进行5~10分钟的清洗.H2SO4/H2O2 (SPM, Piranha Clean, Caro Clean):主要是在清除晶圆表面的有机物.利用硫酸及双氧水生成的卡罗酸,其强氧化性及脱水性可破坏有机物的碳氢键结,而达到去除有机不纯物的目的.在操作上常以H2SO4:H2O2=2~4:1的体积比,在130的高温下进行10~15分钟的浸泡.HF/H2O (DHF)或HF/NH4F/H2O (BHF):应用於清除矽晶圆表面自然生成的氧化层,可使用稀释后的氢氟酸(0.49%~2%)或是以氢氟酸与氟化铵所生成的缓冲溶液HF/NH4F=1:200~400,在室温下进行15~30秒的反应.为了防止水分中的溶氧再次与刚洗净的矽表面反应,洗净最后会再以异丙醇来做乾燥,并且可同时避免在晶圆表面留下水痕.近几年来,许多乾式的清洗的方程式被相继的提出,包括日本东北大学Ohmi教授所提出之新式清洁流程,或是利用气态的盐酸及氢氟酸来取代湿式的制程;但目前都仅限於部份制程的应用,尤其乾式清洗对许多重金属的清洗仍未能有效去除,因此湿式洗净用的化学品在未来仍将扮演著重要的角色.微影用高纯度化学品微影制程的发展决定了积体电路代表性的指标—元件线宽大小,因此光阻材料成为IC制程中十分关键的材料.黄光步骤包含去水烘烤,黏著层涂布,光阻涂布,去边,软烤,曝光,烘烤,显影及硬烤等步骤,其中所使用的关键材料如表五所示,包含有光阻,光阻稀释液及显影剂等.表五,黄光区微影制程使用之化学品光阻半导体制程所使用的光阻主要是由树脂,感光剂及溶剂所组成,其中树脂主要功能是做为蚀刻或离子植入时的阻障层;感光剂的部分则是照光后反应成易与显影剂反应的化合物,以利显影制程进行;溶剂用来使树脂及感光剂均匀的分散,让光阻涂布制程得以顺利进行.依光源的不同,光阻剂可分为G-line(436nm),I-line(365nm)与深紫外线 Deep UV(193-248nm)三大类;深紫外线光阻剂与一般G-line,I-line的光阻剂最大差异在於,使用G-line,I-line光阻在曝光之后,即可直接进入显影制程,而深紫外线光阻则必须再经过化学增幅法,才能进行显影.G-line光阻剂随著机器之汰换而退出半导体制程,再加上I-line光阻剂的应用临界在0.3μm线幅制程,而国内半导体业者已进入0.25μm线宽以下制程;因此近几年我国半导体工业在光阻剂的使用,已经从G-line,I-line的光阻,进入到曝光波长更短的的深紫外线领域.如何在有限的晶圆上布植更多电路图案,惟有追求更细微的线宽,并朝向愈短曝光波长发展.未来进入0.13μm甚至0.09μm线宽制程,有赖於开发193nm深紫外线光阻剂.而随著线宽朝向下一新世代发展,预估未来光阻材料将由157nm光阻剂接班.光阻稀释液光阻乃是经