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河北大学本科生毕业论文（设计）开题报告 （学生用表） 论文（设计）题目 Pt/STO/Pt结构单极型阻变开关的限制电流研究 学院 电子信息工程学院 专业 电子科学与技术 学科 工科 学生 解海涛 指导教师 闫小兵 职称 讲师 课题的来源及意义 目前主流的Flash非挥发性存储器由于自身结构的限制，在逐渐缩小的尺寸下受到严峻的挑战，现有的存储技术已经无法满足信息技术发展的需要，因此探索下一代具有优越性能的存储器成为焦点。阻变随机存储器（RRAM）是一类新的固体非易失存储材料，它结构简单，具有高速读写、较高的存储密度、低功耗以及较长的信息保留时间，主要的RRAM器件是基于金属/金属氧化物/金属结构设计的。因此，阻变随机存储器具有成为下一代存储器的潜力。 课题国内外发展状况： 微电子行业一直在寻找一种拥有高存储密度、低功耗、低成本的及高速读写的非易失存储器，而且在断开电源后数据仍然能够保存。虽然现在Flash存储器在市场上还是主流，然而它的缺点越来越明显，而且随着半导体尺寸的减小，基于电荷存储的传统存储技术将会遇到技术的瓶颈。许多新的非易失性存储器件应运而生，包括磁电阻存储器、铁电存储器和阻变随机存储器。其中阻变随机存储器基于非电荷存储机制，它自身的电阻可以在外界电压信号的调制下实现高、低电阻态之间进行转变，并具有新型存储器要求的低功耗、高速度等很多好的特性。 阻变随机存储器是一种金属/金属氧化物/金属结构器件，在众多的材料中发现阻变行为，其中简单氧化物由于结构简单、稳定性强和与传统工艺相兼容等优点而成为人们的研究热点。然而此类材料的阻变开关机制还不明了，这阻碍了阻变存储器的应用。因此，从基本物理理论去研究电阻变化的特点具有深刻的意义。 课题的研究目标和内容： 目标： 采用脉冲激光沉积方法在白金衬底上生长钛酸锶（STO）薄膜，然后利用磁控溅射法生长上电极Pt,构造阻变存储单元。 要求： 1、了解和掌握磁控溅射、脉冲激光沉积等薄膜生长工艺及光刻等微电子工艺技术。 2、掌握阻变存储器电学性能表征方法。 3、探讨阻变存储物理机制。掌握了解微电子工艺的流程，薄膜制备技术和存储器测量技术。 内容： 以单晶STO为靶材，采用脉冲激光沉积方法，调整脉冲激光功率和沉积气压，在白金Pt衬底上制备出质量较高的多晶STO薄膜，然后借助掩膜板技术，制备直径为0.1mm的Pt电极，构造出Pt/STO/Pt阻变存储单元，然后采用四探针方法，白金（Pt）接地，将扫描电压（0→Vmax→0→–Vmax→0 V）应用到上电极Pt上，测试器件的开关性能。 研究方法及手段： 利用Keithley2400数字源表，提供循环扫描电压信号，测试器件的开关性质。通过Keithley2400提供一个小的电压信号（不足以改变器件的高低阻态），测试器件的电阻随时间的变化值，来研究器件的保持性能。也可以通过设置不同的电压极性，研究器件的有效开关次数（即抗疲劳特性），也在高频脉冲信号下，测试器件的抗疲劳特性。 薄膜的微结构性质可以采用X射线电子衍射仪（XRD）和原子力电子显微镜（AFM）进行表征。 （五）实验方案的实验条件： 实验设备：磁控溅射系统，脉冲激光沉积系统，Keithley2400数字源表，Agilent函数发生仪，Lecroy双通道示波器，可控温探针台。 基于上述的方案，已经具备薄膜生长的设备以及器件电学性能表征设备，因此，本方案完全具有可行性。同时老师具有阻变存储器件制备和开关机制的基础也为实验的顺利开展提供了有力的保障。 （六）进度安排 1、第一周——第二周： （1）：完善翻译及相关的英文资料； （2）：查阅各相关资料，了解阻变测试平台的使用； （3）：提出初步的器件制备和测量的实验方案，写开题报告； 2、第三周——第八周：具体设计、分析薄膜制备方案，反复调试薄膜生长参数以确保制备出高质量的薄膜； 3、第九周——第十周：对器件进行电学性能测试，完善测试参数，制备出开关性能较好的阻变存储器器件单元； 4、第十一周——第十三周：整理测试数据，完成毕业论文的撰写工作； 5、第十四周：修改并完善毕业论文的撰写，准备答辩。 （七）参考文献： [1] 左青云 刘明 尤世兵 王琴《微电子学》 2009年第4期 [2] 《简单氧化物薄膜阻变存储特性研究》，高旭，南京大学，2011年5月 [3] 《微电子所在阻变存储器研究中取得新进展》，Mary，今日电子，2010年12月 [4] 《新型阻变存储器内的电压解决方案》，廖启宏等，半导体技术，2011年06期 学生签名： 解海涛 2012年3月12日 论文资料 装 订 线