AlInAs／InP异质隧道结的设计与器件应用.pdfVIP

《半导体光 电~2009年 1O月第 3O卷第 5期 刘 成 等 ： AllnAs／InP异质隧道结的设计与器件应用 AllnAs／InP异质隧道结的设计与器件应用 刘 成 。，曹春芳 ，劳燕锋 ，曹 萌 ，吴惠桢 f1．中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 ，上海 200050； 2．上海空间电源研究所 。上海 200233) 摘 要： 应用高掺杂pn结和异质结能带理论，计算了AllnAs／InP异质隧道结的电学特性 ， 发现其性能优于AllnAs和 InP同质隧道结，并得 出了掺杂浓度与隧道 电流的关系曲线。采用气 态源分子柬外延 (GSMBE)设备 生长 了面 电阻率约为 1O Q ·cm 的 AlInAs／InP异质 隧道结结 构，并应用于制作 1．3／．tm 垂直腔面发射激光 器(VCSEL)，器件在室温下脉冲激射 。 关键词： 异质隧道结；垂直腔面发射激光器；光电特性 中图分类号：TN248．4 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—5868(2009)05—0691—05 DesignofAilnAs／InPTunnelJunctionandItsApplicationinDevices LIU Cheng ，CAO Chun—fang ，LAO Yan—feng ，CAO Meng ，W U Hui—zhen (1．StateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforlnofrmatics．ShanghaiInstituteofM icr~ tem and InformationTechnology，ChineseAcademyofSciences，Shna ghai200050，CHN； 2．ShanghaiInstituteofSpacePowerSources，Shanghai200233，CHN) Abstract： By using high doping pnjunction and heterojunction energy band model， electricalpropertiesofAllnAs／InPtunne1junctionarecalculated．ItisfoundthatAllnAs／InP hetero—tunneljunctionissuperiortoAllnAsorInPhomo—tunneljunction，andtheinfluenceof dopinglevelonthetunnelingcurrentisdiscussed．AIlnAs／InP tunneljunctionstructuresare grown by gas—sourcemolecular—beam epitaxy(GSM BE)with the specific contactresistivity of about10一 Q ·cm。．Thensuchstructuresareadoptedinthefabricationof1．3um vertical—cavity surface—emittinglasers(VCSEL)． Keywords： tunneljunction；VCSEL；optoelectronicproperties 0 引言 射镜的电阻较大，导致器件 串联电阻较大且发热严 重 ；另外 ，在此波段 P型材料 的价带 内带 间吸收 垂直腔面发射激光器 (VCSEL)有许多独特的 (IVBA)严重 ，不利于器件正常工作。 优点，如阈值电流低 、单纵模工作、发散角度小、易于 为了克服 以上缺点 ，近年来 ，在长波长 VCSEL 与光纤耦合、实现二维列阵和光电集成等，在光纤通