用多孔氧化铝模板制备高度取向碳纳米管阵列膜的研究.pdfVIP

简 报 第45 卷 第 5 期 2000 年3 月 用多孔氧化铝模板制备高度取向碳纳米管 阵列膜的研究 王成伟 李梦柯 潘善林 力虎林* (兰州大学化学系, 兰州 730000 . *联系人, Email: lihl@lzu.edu.cn) 8 2 摘要 用多孔氧化铝(AAO)模板(孔径约250 nm, 孔密度约5.3 10 cm , 厚度约60 m)进行化 学气相沉积(CVD), 成功地制备出大面积高度取向的碳纳米管有序阵列膜. 用透射电子显微镜 (TEM)和扫描电子显微镜(SEM)观察了阵列膜的表面形貌和碳纳米管的结构. 发现碳纳米管的长 度和管径取决于 AAO 模板的厚度和孔径, 碳纳米管的生长特性与模板的结构 催化剂颗粒 反 应气体热解温度 流量比例以及沉积时间等因素有关. 该方法工艺简便, 可使碳纳米管的结构均 匀一致, 排列分立有序, 形成一种有用的碳纳米管自组装有序阵列复合结构, 且成本低, 能实现 大面积生长, 非常利于碳纳米管基础与应用研究. 关键词 碳纳米管阵列 化学气相沉积(CVD) 阳极氧化铝模板 1991 年 Iijima[1]在 Ar 气氛中直流碳弧放电的沉积物中发现碳纳米管(carbon nanotubes, CNTs), 引起各国科学家的极大关注, 相继用多种方法[2 5] 制备出不同形态的碳纳米管 由于 自由生长的碳纳米管取向杂乱, 形态各异, 或积聚成束, 或互相缠绕, 甚至常与非晶碳等杂质 伴生, 难以提纯. 这些问题严重制约了人们对碳纳米管物理 化学性质的研究和实际应用. 因 此探索碳纳米管的取向 离散生长技术, 制备各种有序阵列结构是当前的研究热点之一. 实现碳纳米管取向 离散生长的有效途径是利用 CVD 技术在多孔性模板上合成. 多孔 性模板可使纳米碳管的生长模式具有可控性. 常采用的模板有两类, 一类是多孔氧化硅模板, 已成功实现在其孔外取向生长碳纳米管阵列[6 10]; 另一类则是多孔氧化铝(AAO)模板[10 12], [13] 这方面工作开展得很少 . 本文在文献[13] 的基础上, 用 AAO 模板成功地制备出高度取向的 碳纳米管阵列膜. 该方法工艺简便, 成本低, 可实现大面积生长, 重复性好. 更重要的意义在 于, 这种方法能使碳纳米管的结构均匀一致, 排列分立有序, 可形成一种非常有用的碳纳米管 自组装有序阵列复合结构, 非常利于碳纳米管的基础研究和应用研究. 1 实验 1.1 多孔氧化铝(AAO)模板的制备 将高纯(99.999%)铝箔裁成尺寸为40 mm 30 mm 0.15 mm 的基片. 依次在三氯乙烯溶 液和NaOH 溶液中脱脂和去氧化层. 用二次水淋洗后在高氯酸中进行电抛光处理. 接着在 0.5 mol/L 的草酸或 1.2 mol/L 的硫酸电解质中进行阳极氧化2 4 h, 以铅板作为对电极, 工作电 压为 15 45 V. 利用阶梯降压法[12]将形成的多孔氧化铝膜从铝基底上解离. 然后把