SiC基陶瓷高温相平衡——SiC-Si3N4-Gd203系统.pdfVIP

硅 酸 盐 学 报 第 39卷第 l0期 VoI．39，No．10 2011年 10月 J0URNALOFTHECHINESECERAMIC S0CIETY October，20l1 SiC基陶瓷高温相平衡 SiC—Si3N4-Gd2O3系统 孙文周，陈宇红，黄振坤，吴澜尔，江 涌 (北方民族大学材料科学与工程学院，银川 750021) 摘 要：通过热压烧结在 1700℃，分别于Ar和N2气氛下制备了一系列SiC—Si3N Gd2O3陶瓷样品，采用 x射线衍射技术分析了样品的相组成，确 定了相关系 。结果表明：在 SiC—SisN4~?Jd2O3的二元子系统和三元系统中，除了二元化合物 Si3N4-Gd2O3(M 相)存在，尚有含氮稀土硅酸盐化合物 Si2N202·Gd203(J相)和Gd10(SiO4)6N2(H相)生成。而这些化合物的生成主要是由于SiC、Si3N4粉料表面的杂质氧(以SiO2形式存在)参与了反应，由此 引入的 SiO2这一组分，使原三元系统扩大成为 SiC-Si3N SiO2_Gd2O3四元系统。通过对产物相组成的分析 ，确定了在此四元系统中存在 8个相容性 四面体。基于上述结果，提出了1700℃的SiC—Si3N4—Gd203准三元亚固相图、SisN4-Gd2O3一SiO2三元亚固相图以及SiC—Si3N4-SiO2一Gd2O3四元亚固 相图。 关键词：碳化硅；氮化硅；氧化钆；相平衡：相图 中图分类号：TQ170．1 文献标志码：A 文章编号：O454_I5648(20l1)10_Il536_o5 网络出版时间：20114)9-27 13：49：21 DOh CNKI：11．2310／TQ1349．002 网络出版地址：http：／w／ww．cnki．net／kcms／detail／11．2310．TQ1349．002．html HighTemperaturePhaseEqulibrium ofSiliconCarbideBasedCeramics — PhaseRelationsofSiC—Si3N4__Gd2o3System SUN Wenzhou，CHEN Yuhong，HUANGZhenkun，WULaner，JIANG y0 (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，BeifangUniversityofNationalities，Yinchuan750021，China) Abstract：ThesamplesofSiC—Si3N4一Gd203systemwerepreparedbyahotpressuresintering(HP)methodinN2andAratmospheres atl700℃ ．ThephasecompositionsofthesampleswereanalyzedbyX—raydiffractiontodeterminethephaserelations．Theresults showhtat，exceptforSi3N4G‘d203(Mphase)，twooxygen—richrare-earthsiliconoxynitridesSi2N202·Gd203(Jphase)andGdlo(SiO4)6N2 (Hphase)，arealsofomredintheternarysystemandbinary subsystemsSiC—Si3N Gd203duetothepresenceofexcessoxygenim— purityinthestartingpowdersofSiCandSi3N4．Theternary systemwasrtansformedintoaquaternary system due