Zn/Sb复合薄膜材料的制备及其在低温下的热电性能研究.pdfVIP

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第 17卷第6期 功能材料与器件学报 V0】.17.No.6 2011年 l2月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSAND DEVICES Dec.,201l 文章编号:1007—4252(2011)06—0538—05 Zn/Sb复合薄膜材料的制备及其在低温下的热电性能研究 疏敏,王学生,代晶晶,戚学贵 (华东理工大学机械与动力工程学院 上海 200237) 摘要:采用磁控溅射的方法,两个单靶依次在 si(100)基底上循环5次溅射制备 了Zn/Sb多层复 合纳米薄膜 ,并研究了固定调制周期为40nm时,zn和 Sb的调制 比分别为 1:1、3:2和4:1的三种 情况下,Zn/Sb复合薄膜的Seebeck系数、电导率和功率因子在 160K一250K温度范围内随温度的 变化情况。采用XRD、AFM对其结构和表面形貌进行分析,发现制备的薄膜表面光滑、致密,无大 颗粒,呈现出晶面择优生长的现象。实验结果表明:当调制比为4:1时,Zn/Sb薄膜的功率因子最 高,且其最大值达到在 174K时的7543.541xW/mK,但随着温度的升高,其值迅速的下降,变化趋 势和幅度都很明显。关键词:Zn/Sb薄膜;磁控溅射;Seebeck系数;电导率 中图分类号: 文献标识码 :A ThePreparationandResearchonPerformanceofZn/Sb thin films SHUMin,WANGXue—sheng,DAIJing-jing,QiXue—gui (SchoolofMechanicalandPowerEngineering, EastChinaUniversityofScienceandTechnology,Shanghai200237) Abstract:TheZn/Sbmulti—layerthinfilmswerepreparedbymagnetronsputteringmethod,whichwas sputteredon(100)Sifivetimesbytwosingletarget.ThevariationsoftheSeebeckcoefficient,theelec— tricconductivityandthepowerfactorofthreeZn/Sbcompositefilms,whichwasofmodulationratioof1: 1,3:2and4:1respectivelyinafixedmodulationperiodof40nm,werestudiedinthetemperaturerange from 160K to250K.AnalyzingthestructureandsurfaceappearancebyXRD andAFM,thefilm surface wassmooth,dense,andwithoutanymacroparticles.Thegrainsofthefilmsgrowunderthepreferredori— entations.Theexperimentresultsshowaobvioustrendthatthepowerfactordecreasewithincreasingtern— perature.Thepowerfactorisatthehighestvalueof7543.54txW /mK in174K,asthemodulationratio is4:1. 。 Keywords:Zn/Sbthinfilm;magnetronsputtering;Seebeckcoefficient;electricconductivity 0 引言 热能转化为电能的全静态直接发电方式。与常见的 基于

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