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Micron 推出 16 纳米闪存技术    世上最小最先进的半导体工艺节点  满足消费类应用和数据中心的存储需求    多媒体元素：    -- Media Kit    2013 年 7 月 17 日于爱达荷州博伊西（GLOBE NEWSWIRE）-- Micron Technology, Inc. （Nasdaq 代码：MU）今日宣布正在对新一代 16 纳米（nm）工艺技术进行测试，该技术可支持行 业最小的 128 Gb 多层单元（MLC）NAND 闪存设备。16 纳米节点不仅是技术领先的闪存工艺，也 是采样半导体设备最先进的处理节点。该技术巩固了 Micron 在存储技术开发领域的领导地位， 也实现了公司提供最先进的半导体解决方案的远景。    本新闻稿相关图照：/newsroom/prs/?pkgid=19882    Micron 128 Gb 多层单元 NAND 闪存设备专为消费类固态硬盘、移动存储（U 盘和闪存卡）、平 板电脑、超薄设备、移动手机和数据中心云存储的应用而产生。新型 128Gb NAND 闪存设备在现 有的多层单元设备中平方毫米位宽最高、价格最低廉。此一新技术可在单一晶圆上创造几乎 6 TB 的存储量。     Micron NAND 解决方案事业副总裁 Glen Hawk 说：“Micron 的专门工程师团队不懈地致力于创造 世上最小、最先进的闪存制造技术。我们的客户不断要求在更小的规格中容纳更高的容量，而新 一代的工艺节点让 Micron 能够符合这些要求，占据领先市场的地位。”    根据 Gartner 研究顾问机构*： “成本削减对于 NAND 产业一直是至关重要的，所以在闪存工艺 技术（特别是垂直整合解决方案方面）持续领先的公司将有望取得成功。”    Micron 目前正在与合作伙伴共同测试 16 纳米的 128 Gb 多层单元 NAND 闪存，计划于 2013 年 第 4 季度进入量产。Micron 也开发了基于上述设备的新系列固态硬盘（SSD）解决方案，16 纳 米闪存的固态硬盘预计于 2014 年出货。    下载 16 纳米 NAND 闪存的相关图照请至：  /about/news-and-events/media-kits/16nm-nand    上网了解我们的最新动态！参与 Micron 的社交网络对话，我们在此讨论所有关于存储和内存的 主题：    -- 博客：/about/blogs  -- Twitter：/micronstorage  -- YouTube(TM): /microntechnology    *Gartner, Inc., 《每周内存价格指数》（Weekly Memory Pricing Index）, Gerald Van Hoy, Joseph Unsworth, Brady Wang, 2013 年 7 月。    Micron 简介  Micron Technology, Inc.是领导全球的先进半导体解决方案供应商。本公司将 DRAM、NAND 闪存 和 NOR 闪存等重要的存储技术转变为创新的解决方案，包括固态硬盘（SSD）、存储设备、模 块、多芯片封装和其他半导体系统。Micron 在全球的业务运营包括设计、制造及营销这些解决方 案，并将其应用于前沿的计算、消费类产品、企业服务器及存储、网络及嵌入式和移动产品。 Micron 普通股于 NASDAQ 纳斯达克股市交易，代码为 MU 。取得更多关于 Micron Technology, Inc.的信息，请访问： .    取得 Micron Technology, Inc. 商标请访问：  /newsroom/prs/?pkgid=6950    ©2013 Micron Technology, Inc.保留所有权利。信息可能在未告知的情况下进行变更。 “Micron”和 Micron 的椭圆型轨道商标是属于 Micron Technology, Inc. 的注册商标。所有其 他商标为属于其所有者的商标。    本新闻稿可能包含与 16 纳米的 128 Gb 多层单元 NAND 闪存及应用该闪存的固态硬盘解决方案 相关的生产及可获得性的前瞻性陈述。实际情况或结果可能与这些前瞻性陈述所含内容产生显著 差异。请参考 Micron 公司在并表基础上不时向美国证券交易委员会呈报的文件，特别是公司最 新的 10-K 表和 10-Q 表。这些文件含有并明确了可能导致公司在合并报表基础上的实际业绩与 我