在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究.pdfVIP

第 58卷 第 l1期 2009年 11月 物 理 学 报 Vo1．58，No．11，November，2009 1000—3290／2009／58(11)／7765—08 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2009Chin．Phys．Soc． 在 Si．Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究* 张 )十 叶 辉 张 磊 皇甫幼睿 刘 旭 (浙江大学现代光学仪器 国家重点实验室，杭州 310027) (2009年2月 18El收到；2009年3月 31日收到修改稿) 在晶体衍射理论基础上 ，利用运动学理论解释 了反射式高能 电子衍射(reflectionhighenergyelectrondiffraction， RHEED)在 si—Ge晶体外延生长过程 中不 同阶段出现的花样 ．尤其研究了晶体岛状生长之后 出现 的RHHED透射式 衍射花样 ，并给 出了相应的解释 ．解释了硅锗外延生长过程 中的多晶环图案和孪晶衍射 图案 的含义，并给 出各个生 长 阶段演化 的工艺条件 ． 关键词：硅锗外延生长 ，反射式高能电子衍射 ，表面重构 ，透射式衍射花样 PACC：6114H ，8l15，6150C 式口，”]．若衬底为较理想的晶体平面 ，对应 RHEED 1．引 言 花样上为一系列等间距排列 的条纹 ，或者沿 圆弧排 列 的点，即所谓 的劳厄环 ；如果出现分数级的条纹或 反射式高能电子衍射是利用晶体的周期结构对 者分数级的劳厄环 ，则说明衬底表面出现了重构现 高能电子的衍射效应来判断晶体的表面及 内部结 象；随着材料生长 ，晶体表面变得粗糙不平 ，对应 构 ¨_1]．与 低 能 电子 衍 射 (1ow energy electron RHEED花样上条纹逐渐模糊 ；当晶体生长到一定阶 diffraction，LEED)不同，在 RHEED系统 中电子束为 段，表面成岛或者较大 的突起 ，RHEED花样上出现 掠入射 ，在监测的同时不影响材料的生长 ，所以被广 按一定规律规则排布 的斑点，即为透射式衍射花样 泛集成在 MBE(molecularbeamepitaxy)，CVD(chemical (transmissionpattern) ． vapordeposition)等材料生长系统 中，用于材料生长 本文主要根据基本的晶体衍射理论 ，对不 同工 的实时监测 ． 艺条件下、不同生长阶段 中遇到的RHEED花样进行 通过 自组装效应在硅衬底上生长锗岛在十多年 解读 ，用以判断晶体生长的模式和状态 ．给出了不 同 来引起人们的广泛关注 ．由于硅和锗有相同的 生长阶段和模式的衍射花样的分析 ，建立起 RHEED 晶体结构但存在晶格失配 ，在一定生长条件下可以 花样与晶体 内部结构直接对应 的关系，给出衍射花 在硅衬底上生长出均匀分布的锗量子点 ，其能够对 样演化对应的工艺条件 ． 载流子有三维的量子限制作用 ，可 以用于制作新型 的微电子或光电子器件 ¨．同时 由于与传统硅工艺 2．实 验 的兼容性 ，Si／Ge异质结构外延生长有着广阔的应用 空问，而对其生长的监控技术也就显得尤为重要 ．由 材料生长使用的设备为 自行设计 的国产 MBE 于RHEED可以集高精度监测和原位监测于一体 ，所 系统 ，由不 同真空度标准的三个腔室组成，进样室 ， 以常被用于对 Si／Ge异质结构外延生长进行实时的 预处理室和生长室 (生长室极限真空可达 l0 Pa)． 监控 ，因而要求对晶体不同生长阶段的RHEED花样