Si衬底上生长ZnO薄膜成熟化的研究.pdfVIP

第34卷第4期 江西师范大学学报(自然科学版) Vo1．34No．4 2010年 7月 JOURNALOFJIANGXINORMALUNIVERSITY(NATURALSCIENCE) Ju1．2010 文章编号：1000．5862(2010)04．0336—04 Si衬底上生长 ZnO薄膜成熟化的研究 余 萍 ， 熊狂炜 ， 邱东江2 (1．华东交通大学 基础学院应用物理系，江西 南昌 330013；2．浙江大学 物理系，浙江 杭州 310027) 摘要：用电子束反应蒸发(REBE)方法在Si和白宝石衬底上低温生长了ZnO晶体薄膜．测量结果表明 ZnO晶粒具有类柱状的生长特性 ，并且首次发现 Si基ZnO外延层生长的 Ostwald“成熟化”(ripening)过程 ． 研究结果还表明这种 “成熟化”出现和衬底结构有关 ，而且 “成熟化”并不影响薄膜的生长取向；光荧光激 发光谱(PLE)测量显示，在 330～350Rill区域有一个较宽的荧光激发峰，该宽峰跟掩埋在外延层 内部的 2种尺寸的ZnO量子点有关． 关键词：电子束反应蒸发技术；ZnO薄膜；成熟化过程 中图分类号：0484．1；O484．4+1 文献标识码 ：A 0 引言 ZnO是一种具有纤锌矿晶体结构的Ⅱ一Ⅵ族直接带隙的氧化物半导体，室温带隙宽度为3．37eV，激子束 缚能高达60meV，能有效工作于室温，因此是代替GaN获得短波长光电器件的候选材料之一．它具有许多优 良的物理姓能，在表面声波、透明电极、光电器件、蓝光器件等方面有较大的应用潜力．因此生长出高质量的 Zn()晶体薄膜是为进一步开展 ZnO系列材料及其研究的关键 ．ZnO薄膜生长方法有许多种，如磁控溅射…、 分子束外延 (MBE)_2j、脉冲激光沉积(PLD)j、金属有机化学气相沉积(MOCVD)[、溶胶．凝胶 (So1．Ge1)法is] 等．本文利用电子束反应蒸发技术，在 si和白宝石2种衬底上低温生长了呈高度 c一轴取向的ZnO薄膜．该方 法是利用电子枪发射的具有较高能量(6．0keV)聚焦 电子束轰击 ZnO多晶陶瓷靶材，电子束动能变成热能， 使得热蒸发的ZnO分子离开靶材，散射并沉积到加热的衬底表面，被衬底吸附的分子或原子以Volmer- we1]er[]或 Stranski—Krastan0v_7]模式(视 “衬底。薄膜”材料体系特征而定)最终在衬底表面形成均匀致密、表面 平整的ZnO晶体薄膜 ．通过比较 ZnO／Si(001)和ZnO／Sapphire薄膜的表面形貌、晶体微结构及光致荧光激发 等特性，分析 si衬底上 ZnO薄膜出现的Ostwald“成熟化”过程 的机理，并且研究这种 成“熟化”对微结构和光 学特性的影响． 1 实验方法 以多晶ZnO陶瓷靶材为原料，采用 REBE方法生长 ZnO晶体薄膜 ．靶材用高纯度 (99．99％)的ZnO粉末 均匀压制，并经高温(1200oC)烧结而成；衬底为经过抛光清洁处理的Si(001)和Sapphire片，厚度均为0．5 mln．si片的清洗分为去有机物、氧化物、无机物，获得富氢的表面，然后用氮气吹干；而 白宝石清洗要更简单 一 点，将其置于浓硫酸和浓硝酸混合的溶液中煮沸5min；取出后在去离子水中煮 3次，然后也用氮气吹干 ． 衬底清洗的具体过程参考文献[8]．生长过程中衬底温度通过热电耦接触控制在 250℃；生长室本底气压为 1x10 Pa，生长过程中充人2×10I2Pa的氧气(02的体积分数为99．999％)，最后生长气压设置在 5×10I2 Pa．ZnO／Si(001)和ZnO／Sapphire薄膜的表面形貌由Z．AFM一Ⅱ型原子力显微镜测得；晶体结构在PhilipsXpert 型多晶x．射线衍射仪进行；而其光致荧光激发 (PLE)特性利用 RF-540荧光光谱仪获得，在测量薄膜的PLE 光谱时，将荧光探测位置设定在发光峰的低能端一~(475nin处)，而激发能量则从330nm扫描到410nnq． 收稿 日期 ：2010—04．16 基金项 目：江西省 自然科学基金(2008GQW0017)资助项 目． 作者简介：余 萍(1978一)，女，江西临川人 ，讲师，硕士，主要从事光电子材料研究 第4期