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33 2 Vol. 33, 2
2003 4 M icroelectr onics Apr . 2003
: 1004-3365( 2003) 02-0109-04
/
NiSi Si
陈金凌, 高玉芝, 张利春
( , 100871)
: 用溅射-退火反应的方法制作 / 肖特基二极管, 采用 和 两 金属保护层结
NiSi Si Ti Co
构, 以提高硅化物的形成质量。对肖特基二极管反向I-V 特性的测量结果表明: 相对于没有保护层
的样品, 有保护层样品的反向电流明显减小, 而且 保护层结构比 保护层结构的作用更明显;
Ti Co
没有保护层的管子和有保护层的管子具有不同的边缘特性。实验数据能够很好地用非均匀肖特基
势垒输运模型拟合。提取出的参数表明, 保护层结构在不同程度上有效地提高了肖特基势垒的均匀
性, 从而减小了肖特基二极管的反向电流; 边缘特性的差异性也是由于肖特基势垒均匀性的改变而
导致的。金属保护层能提高肖特基势垒的均匀性是因为保护层抑制了工艺过程中的氧污染。
: 肖特基接触; NiSi; 肖特基二极管; 肖特基势垒; 非均匀性; 金属保护层
+
: 311 . 7 :
T N A
Improvement of Schottky Barrier Homogeneity at NiSi/ Si Interface
-
by a Metal Capping Layer
CHEN Jin-lin , GAO Yu-zhi, ZHANG Li-chun
( Institute of Microelectronics, Peking Univ. , Beji ing 100871, P. R. China)
Abstract: NiSi/ Si Schottky barrier diodes were fabricated usin a sputterin -annealin met hod. A T i or Co
. -
cappin layer w as introduced to im prove the quality of nickel silicide The reverse I V characteristics
. ,
of t he diodes w ere measured It w as found that the reverse current decreased in the sam ples w it h a cappin layer
compared to
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