基于局部基底弯曲法的高灵敏度薄膜应力测试技术3.pdfVIP

第 27 卷 　第 6 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 6 2006 年 6 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS J une ,2006 基于局部基底弯曲法的高灵敏度薄膜 应力测试技术 1 1 , 2 2 1 王莎莎 　陈　兢 　栗大超 　黄玉波 　李志宏 ( 1 北京大学微电子学研究院 微米/ 纳米加工技术国家重点实验室 , 北京 　10087 1) (2 天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 , 天津 　300072) 摘要 : 针对 M EMS ( micr oelect r om ech anical syst em) 和 N EMS ( n a n oelect r om ech anical syst em ) 对薄膜应力测试 的要求 ,开发了一种新型高灵敏度薄膜应力测试技术 ,使用 自行搭建的准纳米光学干涉测试系统 , 利用局部基底弯 曲来检测薄膜的内应力. 该方法不仅保留了传统基底弯曲法的所有优点, 而且消除了其系统误差. 使用 A N S YS 对 测试结构进行了模拟和优化 ,对于 30n m 厚的薄膜 ,应力检测的分辨率为 15M Pa , 优于 目前国际上的相关报道. 本 测试结构使用各向异性腐蚀和 D R I E ( deep r e act ive i on et c hing) 完成 ,加工工艺简单实用. 文中使用该测试技术对 常用 M EMS 薄膜的残余应力进行了测量 , 结果与其他测试方法得到的结果基本一致 ,测量重复性优于 1 % . 该技术 可以用于测试纳米级薄膜及超低应力薄膜的内应力. 关键词 : 微机械系统; 内应力; 纳米级薄膜; 基底弯曲法; 光学干涉测量 PACC : 07 10C ; 0630M 中图分类号 : TN 405 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 许多基于表面微机械加工工艺的平面应力测试结 1 　引言 构 ,根据测试结构关键点的位移来确定应力的大小. 如环结构 、金刚石结构和指针旋转结构测量的是关 采用 M EMS 表面微机械加工制备的薄膜往往 键点的平面位移; 双端固支梁阵列和悬臂梁测量的 存在不可忽视的残余内应力. 对于使用这种表面微 是关键点的离面位移[ 1 , 2 ] . 但是这些方法都存在着 加工的典型微结构如悬臂梁 、微桥和微膜片 , 薄膜内 一些固有的缺点 : ( ) 应力将直接影响器件的刚度和谐振频率等重要的 1 不准确的变形模型对测量结果影响极大. 例 静 、动态设计参数及所设计器件的性能,甚至导致器 如对最简单的悬臂梁结构 , 基体的变形往往没有考 [ 1 ] ( 件失效 . 薄膜应力常发生在利用各种技术制备薄