横截性的本质探讨.pdfVIP

第3l卷 第3期 桂 林 理 工 大 学 学 报 Vol_31No．3 2011年 8月 JournalofGuilinUniversityofTechnology Aug． 2011 文章编号l1674—9057(2011)03-0457—06 横截性的本质探讨 方 丽 菁 (广西民族大学 数学与计算机科学学院，南宁 530006) 摘 要：横截性是一个重要但又相对难理解的微分拓扑概念。对横截性概念的本质进行了探讨，剖析 其蕴含的直观背景取向，给出3种更为详尽的等价阐述。同时，对每种等价阐述作相应的合理解释和 论证，构造例子指出横截性概念与广义横截性概念之间的本质关联。 关键词：淹没；正则性；横截性；横截性等价定义；广义横截性 中图分类号 ：O189．32 文献标志码 ：A 1983年诺贝尔经济学奖得主 G6rardDebreu在 是在切向量厂。()，…。()的集合中线性无 获奖演说中，对于微分拓扑的方法帮助他实现关 键性的突破 曾有生动的描述…，而正则性、横截 关向量的最大个数，或映射，的局部坐标系表示式Y 性在微分拓扑中尤为凸显。ZeidleE在文献 [2] = 。 fo-I()的Jac。bi矩阵(警 )的秩， 中指出，横截性是现代数学中最重要的数学概念 即 之一，它回答了 “一个流形的原像何时仍是流形” 的问题。值得称道的Thom横截定理，在大范围分 rankv∽ … nk O x )。 (1) 析、微分动力系统、奇异性理论等领域都有广泛 从 式 (1)知，rank( ≤ min(m，n)。若 秩 的应用 。 rank( 取到极值，就有 以下3种情形 ]。 本文从文献[6]给出的古典横截性概念出发， 定义2 (I)如果rankR厂=m = ，则，就是 探究其蕴含的背景取 向，揭示抽象的概念本质，证 从P点邻近到 P)点邻近的局部c微分同胚。 明了横截性与淹没、正则值的关系定理，给出横截 (I1)如果rank．f=m 几，则称 在P点是浸 性的3个等价定义，并作出有意义的推广。 入。如果 ／在M的每一点都是浸入，则称，为浸入映 1 预备知识 射。 首先介绍横截性及其一些相关的概念。 (Ⅲ)如果m ／t=rank ，则称，在P点淹没。 定义 1 设 和Ⅳ分别是m维和n维光滑 如果厂在 的每一点都是淹没，则称 为淹没映射。 流形 ： 一Ⅳ是光滑映射。设 ／ ： ， 一 )Ⅳ， 定义3 设 和Ⅳ是微分流形 ，dimN=n，又 P∈M，是切映射，象子空间f。( M)的维数称为 设f：M一 Ⅳ是可微映射。 映射厂在 P的秩，记为 rank∽ 。 (I)如果P∈M，使得rank∽ n，则称P为 若取 在点P的局部坐标系(U，；)‘，取Ⅳ在 厂的I临界点(criticalpoint)。f的全体临界点的集合 点 P)的局部坐标系(V，；广)，则rank∽ 恰好 记为c，或 c∽ 。 收稿 日期 ：2011—06—27 基金项目：国家 自然科学基金项 目 ；广西科学研究与技术开发计划项 目 (桂科基