近红外256×1元InGaAs焦平面探测器无效像元研究.pdfVIP

第 30卷第 5期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vo1．30，No．5 2011年 10月 J．Infi’arP(IMillim．Waves October，201l 文章编号：1001—9014(2011)05—0409—05 近红外 256×1元 InGaAs焦平面探测器无效像元研究 李 雪．，邵秀梅一，唐恒敬 ，汪 洋 ，陈 郁 ，龚海梅 (1．中国科学院上海技术物理研究所 传感技术 国家重点实验室，上海 200083； 2．中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料和器件重点实验室，上海 200083) 摘要 ：采用分子束外延方法生长 的PIN型 InP／InGaAs／InP双异质结材料制备 了正照射 256X1元近红外探测器 ，并 与 128X1奇偶两路读 出电路互连，制备了近红外256×1元焦平面探测器．针对近红外 InGaAs焦平面探测器中的 无效像元问题，通过光学显微镜、扫描 电镜和 电学测试将无效像元进行分类，并分析 了无效像元产生的原因．研究 结果表明光敏芯片较低的零偏 电阻、键压过程 引入的损伤和虚焊 以及钝化膜侧面覆盖较薄导致 了无效像元的产 生，通过光敏芯片设计结构改进和钝化膜工艺优化，消除了近红外256×1元 InGaAs焦平面探测器的无效像元． 关 键 词：近红外；焦平面；无效像元 中图分类号 ：TN21 文献标识码 ：A Inoperablepixelsof256 ×1elementlinearInGaAs near-infrared focalplanearrays LIXue一， SHAO Xiu．Mei一， TANG Heng．Jing ， WANGYang一， CHEN Yu ． GONG Hai—Mei’ (1．StateKeyLaboratoryofTransducerTechnology，ShanghaiInstituteofTechnicalPhysics，ChineseAcademyof Sciences，Shanghai 200083，China； 2．KeyLaboratoryofInfraredImagingMaterialsandDevices，ShanghaiInstituteofTechnical Physics， ChineseAcademyofSciences，Shanghai 200083，China) Abstract：256×1elementrfont—illuminatedInGaAsdetectorarrayswerefabricatedbyusingMBE—grownp-InP／n—InGaAs／ n．InPdouble．heterostructureepitaxialmaterialsandwerewire．bondedto128X1elementoddandevenreadoutintegrated circuits(ROICs)inordertoformnear—infrared256×1elementInGaAsfocalplanearrays(FPAs)．Theinoperablepixels existintheneol一infraredInGaAsFPAs．Inthispaper，theinoperablepixelswereclassifiedandanalyzedbytheopticalmi— croscope，SEM andelectrical measurements．Theresultsshow thatthelowerresistanceofphotosensitivedetectorsatthebi— asvoltageof0V ，thedamageandfalsebonding，andthethinnerprofileof