衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO：In薄膜光电性能的影响.pdf

《半导体光 电}2009年 1O月第 3O卷第 5期 杨小飞 等 ： 衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO ：In薄膜光 电性能的影响 衬底温度对磁控溅射法制备的 ／_n．O：In薄膜光电性能的影响 杨小飞 ，方 亮 ，彭丽萍 ，黄秋柳 ，周 科 孔春阳 (重庆大学 1．应用物理系 ；2．光 电技术及系统教育部重 点实验室 。重庆 400030； 3．重庆师范大学 物理系。重庆 400046) 摘 要： 以粉末靶为溅射源，采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺铟氧化锌 (ZnO：In) 透明导电膜。利用 X射线衍射仪、原子力显微镜、霍尔测试仪 ，以及分光光度计等对不同衬底温度 下生长的ZnO：In薄膜的结构、光电性能进行表征。结果表明，所有制备的ZnO：In薄膜均为六 角纤锌矿结构的多晶膜 ，具有(002)择优取 向。Zn0：In薄膜的电阻率随着衬底温度的升高先减 小后增大，当衬底温度为 100℃时，薄膜 的最低电阻率为 3．18×1O Q ·cm。制备 的薄膜可见光 范围内透过率均在 85％以上。 关键词 ： 铟掺杂氧化锌薄膜 ；磁控溅射 ；光电性能；透明导电膜 中图分类号 ：0484．1 文献标识码：A 文章编号：1001—5868(2009)05—0711一O4 EffectsofSubstrateTemperatureonOptoelectronicPropertiesofZnO ：InFilm PreparedbyRF M agnetronSputtering YANG Xiao—fei，FANG Liang ，PENG Li—ping ，HUANG Qiu—liu ，ZHOU Ke ，KoNG Chun—yang。 (1．DepartmentofAppliedPhysics；2．KeyLaboratoryofOptoelectronicTechnologyandSystemsof theEducationM inistry，ChongqingUniversity，Chongqing400030，CHN； 3．DepartmentofAppliedPhysics，ChongqingNormalUniversity，Chongqing400046，CHN) Abstract： Indium dopedzincoxide(ZnO ：In)filmsweredepositedonglasssubstratesby RF magnetron sputtering method using a powder target． The influence of the substrate temperature on the structure， opticaland electricalproperties was investigated by X—ray diffraction (XRD)，atom forcemicroscope (AFM )，Hallmeasurementandopticaltransmission spectroscopy．The results show allthe obtained filmsare polycrystalline with a hexagonal wurtzitestructureandgrow preferentiallyinthe (002)direction。andthegrainsizeisabout22～ 29nm．Theconductivity oftheZnO ：In filmschangewith thesubstratetemperature，and the lowestelectricalresistivity isabout3．18× 10一。Q ·cm forthesamplesdepositedatsubstrate temperature100℃ ．Thetransmittanceofourfilmsinthevisiblerangeisallhigherthan85 ． Key words： In-doped ZnO thin fil