晶体电光调制实验中半波电压的测定.pdfVIP

中国科技论文 　　　实 　验 　技 　术 　与 　管 　理 　　Vol. 20 　No. 2 　2003 　 102 统计源期刊 晶体电光调制实验中半波电压的测定 张国林 ,邵长金 ,孙 　为 (石油大学数理系 ,北京昌平 　102200) 摘 　要 : 介绍了晶体电光调制实验中两种测量半波电压的方法 ,并对它们进行了比较和分 析 ,在此基础上提出了对实验装置的改进意见。 关键词 : 电光效应;半波电压 ;极值法 ;倍频法 ( ) 中图分类号:O7341 　文献标识码 :B 　文章编号 :1002 - 4956 2003 02 - 0102 - 04 晶体电光调制实验是集光、机、电于一体的一个综合性实验;通过这个实验 ,不仅可以 学会用简单的实验装置测量晶体半波电压的方法 ,还可以观察和了解电光效应所引起的 晶体光性的变化 ,加深对双折射、偏振光干涉等知识的理解。半波电压是描述晶体电光效 应的重要参数 ,根据半波电压值 ,可以估计出利用电光效应控制透光强度所需的电压值 ; 对于电光晶体而言 ,半波电压越小越好。 1 　实验原理 某些晶体或流体加上电场后 ,其折射率发生变化 ,这种现象称为电光效应。若折射率 的变化正比于电场强度 ,称为一次电光效应。铌酸锂晶体是单轴晶体 ,x 、y 、z 轴为晶体的 ( 主轴 ,且 z 轴为光轴 ,如图 1 所示。当光沿 z 轴方向传播时 ,在 x 方向加上电场 电压 V = ω) V0 + Vm sin t 后 ,晶体由单轴变为双轴 ,新的主轴 x′、y′、z′轴又称为感应轴,其中 x′和y′ 绕 z 轴转 45°,而 z′轴与z 轴重合。 图 1 　晶体横向电光调制器结构示意图 振动方向平行于 x 轴的线偏振光通过长为 l 的电光晶体后 ,x′和y′两分量之间因折射 [1 ] 率不同而产生相位差 δ ;则输出光强 I 经推导可写成 : 收稿日期 :2002 - 06 - 05 ( ) 作者简介 :张国林 1963 — ,男 ,工程师 ,物理实验室主任 晶体电光调制实验中半波电压的测定 103 δ I = I0 sin2 (2) 2 ( ω) λ 　　当电压 V = V0 + Vm sin t 增加到某一值时 ,x′、y′方向的偏振光经过晶体后产生 2 δ π ( ) 的光程差 ,其位相差 = ,此时透光率 T = 100 % ,这一电压叫半波电压 ,记为 Vπ。则 2 式可改写[2 ] : π 2 ( ω) ( ) I = I0 sin V0 + Vm sin t