高择优取向Mo薄膜的直流磁控溅射制备及其电学性能.pdfVIP

第 4O卷第 9期 光 子 学 报 Vo1．40No．9 2011年 9月 ACTA PH()T()NICA SINICA 文章编号：1004—4213(2011)09—13424 高择优取 向Mo薄膜的直流磁控溅射 制备及其 电学性能 王震 东，赖珍荃 ，范定环 ，徐鹏 (南 昌大学 物理 系，南昌 330031) 摘 要 ：使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积 Mo薄膜 ，采用 X射线衍射仪、原子力显微镜和 四 探针测试 系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响．结果表明：当基片温度 为 150℃时，薄膜获得 (211)晶面择优取向生长，而在低于250℃的其它温度条件下，样品则表现为 (110)晶面择优取向生长．进一步的表面形貌分析显示：薄膜的粗糙度随基片温度变化不明显，其值 大约为 0．35nm，随溅射功率密度的增大而变大；电学性能方面：随着溅射功率密度的升高，薄膜导 电性能迅速增强，电阻率呈现近似指数函数衰减；随着基底温度的升高，薄膜的电阻率先减小后增 大，当基底温度为 l50℃时，薄膜电阻率降低至最小值 2．O2×10 Q ·cm． 关键词 ：直流磁控溅射 ；Mo薄膜 ；高择优取向；电学性能 中图分类号：0484 文献标识码：A doi：10．3788／gzxb20l14009．1342 薄膜的结构、形貌和电学性能的影响．通过改变衬底 0 引言 温度分别获得了低电阻率 、高度 (110)和 (211)晶面 在化合物薄膜太 阳电池的典型结构 中，越来越 择优取 向的Mo薄膜 ，为研究 Mo薄膜 的择优取 向 多的研究者使用 Mo薄膜作为 CulnS(CIS)薄膜太 对上层薄膜及器件性能的影响创造了必要条件． 阳电池的背 电极材料 。。]‘，这主要是 由于 Mo薄膜具 1 实验方法 有 良好的热稳定性 、低电阻率及其易与上层 CIS薄 膜形成 良好的欧姆接触．作为薄膜 电池结构中的背 直流磁控溅射镀膜系统沉积 Mo薄膜时 ，基底 电极材料 ，Mo薄膜结构、形貌和电学性能直接影响 选用钠钙玻璃 ，并依次经浓硫酸的双氧水溶液 (浓硫 吸收层 CIS薄膜的结晶取向、表面形貌及其界面性 酸 ：双氧水一4：1)浸泡 8h，去离子水和酒精各超 能 ，进而对 电池性能产生重要影响 ．目前 ，文献报 声清洗 30min，然后使用 N 吹干． 道的Mo薄膜的制备方法主要有射频磁控溅射 。。]、 在研究溅射功率密度和基片温度对制备 Mo薄 直流磁控溅射[9。1]、电子束蒸发l】、脉冲激 光沉 膜性能的影响时，选择溅射气压为 2．5Pa．溅射靶 积 口 、直流脉冲磁控溅射 等方法．在磁控溅射法 材为纯度99．95 的金属 Mo靶 ，靶的尺寸为050× 制备 Mo薄膜电极的研究中，Scofield等llgj研究了不 5mm，溅射的基本工艺参数如表 1． · 同Ar气压力对沉积 Mo薄膜的电阻率及薄膜与基 表 1 直流磁控溅射生长 Mo薄膜 电极 的基本工艺参量 片结合能力 的影 响．Maoujoud等u 以MgO(100) Table1 ThecraftofM othinfilmsdeposited byDC sputtering 为衬底 ，溅射沉积 了具有面心立方结构 的 Mo、W Substrate—targetdistanc