基于MOSFET 的固体开关技术实验研究.pdfVIP

第 16卷 第 11期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol. 16 ,No. 11 2004年 11月 HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMS Nov. ,2004 文章编号 : 100124322 2004 1121481204 X 基于 MOSFET的固体开关技术实验研究 赵军平 , 章林文 , 李 劲 中国工程物理研究院 流体物理研究所 106室 ,四川 绵阳 621900 摘 要 : 采用两只 1kV MOSFET器件及驱动模块和高带宽光纤收发对 ,研究了固体开关技术中的触发信 号高压隔离、 功率 MOSFET器件栅极驱动及 MOSFET串并联使用等关键技术。单器件开关获得了 1kV ,13A , 4MHz重复频率的脉冲串输出。两器件并联开关获得了 130A ,2MHz的输出。两器件串联开关获得了 116kV , 2MHz重复频率脉冲串输出。 关键词 : FDTD ;MHz重复频率 ; MOSFET; 固体开关 中图分类号 : TL531. 1 文献标识码 : A 高重复频率的脉冲功率源技术一直是脉冲功率技术的研究热点 ,在加速器、 高功率微波、 医用和环保等领 域具有潜在的应用前景 ,其中的关键技术是高重复频率的开关技术。目前 ,高重复频率的固体开关技术成为脉 冲功率领域研究的重点之一。美国、 日本等国近年来都对兆赫兹的固体开关技术进行了大量的研究。大型固 体开关装置的应用实例有 LLNL 的 ARM2II调制器装置及 DARHT2II的 Kicker系统等。 目前 ,高电压、 高平均功率的固体开关一般由大量的功率电子器件构成。适合构成兆赫兹重复频率固体开 关的功率电子器件有金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET 、 砷化镓光导开关 GaAs2PCSS 等。此类功率 电子器件具有高速通断能力、 低触发能量、 脉宽可调的特性 ,构成的固体开关具有高重复频率、 脉宽可调、 长寿 命、 可靠性高等优点。单个功率电子器件的耐压和电流有限 ,就 MOSFET而言 ,目前的器件电压一般在 1kV ,电 流在数十安培的水平。高电压、 高功率的固体开关需要对大量的功率电子器件进行串联和并联使用 ,以提高开 关整体的电压和电流。 功率电子器件串联和并联使用时涉及到触发信号的高压隔离技术、 驱动信号同步技术及功率器件的动态 和静态电压均衡技术。本文采用功率 MOSFET器件 ,对上述相关技术进行初步的试验研究。 1 实验电路 单器件开关实验装置结构如图 1所示。考虑到多个 MOSFET工作时 ,可能会产生相互干扰 ,而对触发电路 采用了光纤隔离 ,即将信号源信号经过光纤发射器电光转换后 ,通过光纤传输由光纤接收器接收 ,将光信号转 换为电信号 ,控制功率回路部分。试验装置采用安捷伦 Agilent 公司生产的光纤收发对 HFBR21119T/ HFBR22119 T , 50μm内芯的多模光纤 、 DEI公司生产的功率MOSFET器件DE4 7 521 0 2N2 1A和MOSFET驱 Fig. 1 Test circuit of single MOSFET switch 图 1 单器件开关试验线路 X 收稿日期 :2004206207 ; 修订日期 :2004208205 基金项目 :国防科技基础研究基金资助课题 作者简介 :赵军平 1979? ,男 ,陕西咸阳人 ,硕士研究生 ,主要从事加速器脉冲功率系统领域的研究工作。四川绵阳 919信箱 106分箱 ; E2mail :flamefish @sina. com。1995-2005 Tsinghua Tongfang Optical Disc Co., Ltd All rights reserved.1482 强 激 光 与 粒 子 束 第 16卷 τ 动模块 DEIC420。试验线路功率回路采用时间常数 1. 5ms 的 RC 放电回路 ,远大于试验中单脉冲几百 ns 的脉冲宽度 ,使几个脉冲的幅度基本相同。用高频高压探头测量开关上的电压波形 ,高频电流探头测量 RC 放 电回路的电流来研究开关性能。 MOSFET器件串联开关试验线路如图 2 所示。每个 MOSFET器件采用独立的光纤隔离系统和驱动电路。 并联开关线路与串联开关线路类似 ,同样采用独立的光纤隔离系统和驱动电路 ,每个 MOSFET的漏极与漏极、 源极与源极直接连接。 Fig. 2 Test circuit of series MOSFET switch 图 2 MOSFET器件串联开关试验线路 信号源给出的是 TTL 电平的信号 ,光纤发射器的输入电平和光纤接收器的输出电平都是