固体钽电容短路失效分析与措施.pdfVIP

固体钽电容短路失效分析与措施 北京华航无线电测量研究所 贺玉平 尚建平 王承文 文摘 为查明固体钽电容短路失效机理, 进行了固体钽电容短路失效模式的分析, 根据分 析结论制定相应的保证措施。通过加强筛选, 控制搪锡、成形和焊装过程, 有效地避免了短路失 效现象的发生。 主题词 固体钽电容 短路失效 失效分析 措施 1 引言 2 失效分析 我所承担研制的弹上产品, 多处采用 2. 1 失效现象复验 CA 系列固体钽电容作为滤波器件, 其结构 用 L CR 自动检测仪对三只失效器件进 形式如图 1 所示。固体钽电容器采用锡封口, 行测试, 结果表明, 三只电容器均已短路失 封口前先在烘箱中干燥, 并趁热封口。因此, 效, 原失效现象得到复现。 电容器冷却后, 内部有负压存在。 2. 2 光透视及解剖观察 X 2. 2. 1 将失效器件用 X 光进行透视, 结果 表明, 三只失效器件内均不同程度存在多余 物, 且多余物的尺寸足以将正极引出线与壳 体相连接而短路, 形貌如图 2 所示。进一步用 M 3Z 实体显微镜对电容外观进行观察, 发现 在电容器的引出线套管封口处, 焊料已明显 被重熔过, 且部分焊料已经流走, 形貌如图 3 所示。 图 1 固体钽电容结构示意图 该类钽电容多次出现过短路失效现象, 大多数发生在产品例行试验后。过去未给予 足够重视, 只对失效钽电容进行更换。按照总 公司质量问题归零五条标准要求, 为查明固 体钽电容短路失效的机理, 我们将 1997 年失 效的三只钽电容送检测与失效分析中心进行 了失效分析。 图 2 内部多余物形貌 航天工艺 1998 年第 3 期 33钽体引起的。 2. 3 分析结论 通过以上测试, X 光透视及解剖观察与 分析, 可以确认, 电容器短路失效是由于电容 内部有焊锡多余物的存在, 而焊锡多余物的 来源应与电装时搪锡或焊接温度过高, 搪锡 或焊接时过于靠近引线熔接处, 导致封口处 焊锡熔化及电容体内预先有部分焊料流入有 关。 图 3 封口处焊锡流走后形貌 3 防止短路失效的措施 2. 2. 2 进一步用机械方法将钽电容解剖, 从 中可以看出, 内部引线上的绝缘套管熔化, 引 3. 1 筛选 线裸露, 同时可以看出, 多余物来源为封口处 根据失效分析结论, 存在钽电容在生产 流入, 其成分为 Pb- Sn 焊料, 形貌如图 4 所 过程中, 尤其在封装时内部存留有多余物的 示。产生这种现象的原因与焊接或搪锡时温 可能性, 因此必须严格按照钽电容有关筛选 度过高, 或搪锡时浸锡位置过于靠近引线熔 技术条件做好筛选工作。进行低温漏电流测 接处, 导致锡封熔化且流入电容腔体有关。另 试, 剔除封装焊接时留下的锡料等多余物而 外, 电容内部的多余物焊锡量较大, 单纯从套 发生短路的产品, 进行 X 射线检查剔除内部 管外流入不足以有如此大的焊锡量, 可能在 结构异常或有多余物的产品。 原始封装时有部分焊锡流入腔体但未导致电 3. 2 搪锡、成形、焊装工艺措施 容失效, 而在装配焊接过程中焊料重熔且流 根据失效分析结论, 为避免钽电容封口 动, 从而导致多余物将壳体与正极引线相连 焊点熔化并在内部负压作用下焊锡倒流形成 接而产生短路失效。 短路, 必须控制搪锡、焊装过程中的温度、时 间和浸入深度。为此, 工艺人员进行了工艺实 验。搪锡实验中, 将以上参数设置超过标准规 定, 锡锅温度分别设置为 340℃, 400℃, 450℃, 并在每一个设置温度上进行 5 , 10 , s s 15 的搪锡操作, 引线浸入深度距封口焊点 2 s ~ 3 。焊接试验中, 恒温烙铁温度为 mm 320℃。焊接时间取 5s, 10s, 15s 分别进行焊 接。试验后测试钽电容的电参数, 均符合要 求, 检查外观, 封口焊点无熔化迹象。我们依 据并更严格于试验结果及有关标准, 制定了 图 4 解剖后内部形貌 以下措施: 2. 2. 3 解剖后, 刮掉引线及钽体上附着的焊由于锡锅搪锡时浸入深度控制较困 a 锡, 测试钽体芯子, 芯子的电容量、损耗、漏电 难, 误差范围大, 过于靠近封口焊点或焊点浸 流都符合标准, 钽体并未损坏, 短路不是由于 34 航天工艺 1998 年第 3 期