600W高功率密度、高效率DCDC的研制.pdfVIP

600W高功率密度、高效率DC/DC的研制 600W高功率密度、高效率DC/DC的研制 李龙文 上海飞兆科技公司 电子设备中一个稳定可靠、小体积、高效率、低发热的电源 性能的进步造就了电路拓扑的回潮。为了缩小体积，MOSFEF选 始终都是电子业界追求的目标。然而，实现的方法、手段却各不 择裸芯片贴装方案，其优点在于既缩小了占用的空间，又减小了 相同。怎样实现高效率高功率密度的DC/DC，业界几乎都认为 功率元件的热阻，使其热量仅间隔一层氧化桩薄片就到达外壳， 必须提高开关频率才能实现。然而，提高开关频率却并不十分 经散热器导出。这种作法对提高可靠性、增加MTBF至关重要， 理想。一者频率升高后变压器磁芯的饱和磁密会降低，并不能 也是本项目提高功率密度的大手笔，将节省的空间用于放置体 使体积大幅度减下来。开关元件的开关损耗及驱动损耗的大幅 积加大的变压器和滤波电感。 度上升使效率大大降低。就是采用所谓软开关电路拓朴也只能 为充分地利用变压器的绕组.在二次侧不采用中心抽头式 减少开关元件的开关损耗，而驱动损耗是降不下来的。而且工 而采用无抽头的绕组做倍流整流的电路方案。因此变压器初 作费时、费力，效率的提升也有限。 级、次级绕组及窗口空间做到最充分的利用，除去死区时间外变 我们开始设计一种新思路，即将工作频率限定在250kHzo 压器绕组总有满额电流流过。这样做即使频率不算，高变压器 这样的适中频率，使变压器在磁密最佳值，功率密度最佳值达到 体积也不算太大。 最佳搭配。选择最能充分利用变压器及电感的磁性材料的电路 输出整流部分则采用最新的ZCS同步整流技术。我们已经 拓朴，即全桥硬开关电路拓朴做此方案。 认同同步整流技术对DC/DC变换器效率的提高比软开关技术来 随着微电子技术的进步，将其技术如:完美晶格技术、亚微 得更为显著。但做此项技术时，却忽略了大功率同步整流的 米光刻技术运用于功率MOSFE】的设计和生产后，生产同样耐压 MOSFEP在开关切换如此大的电流时其开关损耗也已经非常可 的器件，却可选用电阻率低得多的半导体材料，完美的外延层晶 观。为此设计出了软开关的同步整流技术，即此中的ZCS同步 格很少的破损，造就了MOSFEC导通电阻的新纪录。元胞尺寸的 整流。实验结果此项技术比硬开关的同步整流提高约2%的效 大幅减小又使它的开关速度达到了20.的水平 。完美的氧化 率。目前此技术已经在国外高档」C/DC中有所采用。它使DC/ 层还大幅度地减小了MOSFEI的栅电荷及栅源、栅漏输人电容。 DC的总体效率水平从90%上升到了93%一95 。软开关的效 这样造出的新一代MOSFEC在5DA80V时，导通电阻仅有10m4, 果在初级侧未发挥出的作用在二次侧得到了充电发挥。 开关速度为20一30-,驱动栅电荷仅30nC把如此优秀的器件用 同样，二次同步整流用MOSFEI的选取仍旧至关重要。它的 在全桥硬开关电路拓朴中实现了最完美的组合。实践中对比了 导通电阻，它的驱动栅电荷应该选择最优秀的，装置也采用直接 一下全桥移相ZVS软开关电路拓朴。此项软开关技术虽然省去 贴芯片方式。电路拓朴定下来，就是选择控制方式。我们选择 了开关损耗，但却增加了谐振电感的损耗。由于申人谐振电感 了二十一世纪才问世的控制IC及驱动IC,还有Vaa供电IC。并 导致的占空比丢失，使二次整流的损耗又增大了。由于谐振电 把它们巧妙地组成一个MCM的综合体。此即新组合出的混合 感体积不算小，占用的空间还会降低功率密度。所以.MOSFEF 图1600WDC/DC变换器原理图 76 第十五届全国电源技术年会论文集 集成IC。外可直接接输人电源电压，给人电压后即给出全桥四 一个SO-8的小型MCU。它是一个八位的微处理器，同时含有足 个功率MOSFEI的驱动信号。整个MCM的混合体体积不大，厚 够的RAM和ROM.ROM可事先写人所需程序。本项目中用它 度很薄，仅为通用IC的两倍。将其放置在全桥MOSFEI的上部 做了起动、关断、输入的过压、欠压保护。整个DC/DC的过热保 空间，驱动信号直接接在MOSFEI的栅极和源极上，