新型透明导电薄膜ErF_3掺杂In_2O_3的研制.pdfVIP

新型透明导电薄膜ErF_3掺杂In_2O_3的研制.pdf

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第33卷 第 12期 发 光 学 报 V0I.33 N0.I2 2012年 12月 CHINESE JOURNALOF LUMINESCENCE Dec..2012 文章编号:1000-7032(2012)12—1295~4 新型透明导电薄膜 ErF3掺杂 In203的研制 张剑楠 ,李颜涛 ,范 翊 ,刘星元 (1.发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130033 2.中国科学院大学.北京 100039) 摘要:利用电子束沉积技术首次制备了氟化铒 (ErF3)掺杂的氧化铟(In0)透明导电薄膜(IEFO)研究了 , 薄膜的晶体结构、光学特性和电学特性。利用原子力显微镜测试了不同厚度薄膜的形貌,初步研究了薄膜的 生长过程。研究发现:IEFO薄膜为多晶结构,Er原子的掺人改变了薄膜的优势生长方向,使薄膜在 (211)、 (222)、(444)3个方向上的生长趋势基本相同。薄膜电阻率为1.265×10 n ·cm,电子迁移率为45.76cm2. V~ ·s~,电子浓度为 1.197X10。cnq~,在 380~780nm范围内的可见光平均透过率为81%。 关 键 词:透明导电薄膜 ;形貌;氧化铟 中图分类号:TN383 .1 文献标识码:A DOI:10.3788/fgx1295 StudyofNew TransparentConductiveFilm with Erbium FluorideDoped Indium Oxide ZHANGJian—nan,LIYan—tao ,FANYi ,LIU Xing—yuan (1.StateKeyLaboratoryofLuminescenceandApplications,ChangehunInstituteofOptics FineMechanicsandPhysics,ChineseAcademyofSciences,Changchun130033,China; 2.UniversityofChineseAcademyofSciences,Bejiing100039,China) $CorrespondingAuthor,E—mail:fanyi@ciomp.ac.cn Abstract:ErF dopedindiumoxide(IEFO)transparentconductivefilmwasfabricatedbyelectron beam evaporation.Theoptical,electricalcharacteristicsandcrystalstructureoftheIEFO film were studied.TheIEFO film iSpolycrystallinesturcture.theintroductionofErchangestheprefeITedori— entationoflatticeandmakesthegrowthtendencyofthe(211),(222),(444)similar.TheIEFO film showsaresistivityof1.265 ×10一 Q ·am .acarriermobilityof45.76cm ·V~ .s一. a carrierconcentrationof1.197X10 cm~ .andtheopticaltransmittanceof81% a

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