功率Trench MOS器件工业化技术的新进展.pdfVIP

功率 TrenchMOS器件工业化技术 的新进展 (1)沟道 电阻 但该技术仍不能完全实现 电场的矩形分布 ． 沟道 电阻的降低始于采用不断进步的先进设 且将其用于高压 MOSFET器件 (大于400V)时需 备来增加沟道密度。但这种方法极大地依赖生产 要非常复杂的制造工艺。因此，另一种利用 Trench 设备的精密性和重复性，因此投资巨大，且工业化 工艺实现的所谓 “超结”技术应运而生。该技术基 生产成本不断增加。同时，在大批量的生产中。成 于 “体 内RESURF”或 “超结”概念来调节漂移区电 品率的控制也变得越来越困难 。例如，n源区，p+ 场，使之达到矩形分布[11-15]。图4示出用于生产高 区／源极接触孔的对准精度会限制元胞尺寸的缩 压MOSFET产品的4种不同的 “体 内RESURF”技 小，并将对器件的栅．源泄漏电流、阈值电压、雪崩 术。图4a是在Trench内外延生长以形成 P型或 能量和可靠性等重要特性产生极大影响。为了消 n型区：图4b是在Trench内外延生长或离子注入 除这些局限，工业界成功地开发出全平面化的源 形成P型或 n型区，再加上 SiO填充；图4c是在 极接触 ／深全埋栅的器件结构及其制造工艺6【-71。采 Trench内形成 SiO Liner介质层 ，再加 P型掺杂的 用此技术 ，器件的元胞尺寸在 0．35 m的生产线 多晶硅填充 ：图4d是在 Trench内实现双外延生 上可缩小到 1．1 m。30V器件的比导通电阻从当 长以形成P型和 n型区，再加上 SiO填充。 时的36mn ·mm2降至 11mft·mm 。但该技术仍未 完全消除n源区／p区／Trench对准的限制。为了消 除此局限以进一步增加功率 MOSFET沟道密度 ， 一 种先进的Trench／n~源区／p+区／源极接触孔全 自 对准的器件结构及其制造工艺开发成功[81．并已 成功实现工业化生产。基于该技术平台，器件的元 胞尺寸在 0．35IL．m的生产线上可缩小到0．9 m。 例如。30V器件比导通 电阻从原来的 11mD．m·m 降至 8mQ ·mm 。 (2)漂移区电阻 漂移区电阻的降低始于优化外延掺杂浓度分 布。但此方法对漂移区电阻的降低作用有限，且在 工业化生产中实现成本高，难度大。同时，由于该 技术没有从根本上改变漂移区电场的三角形分 (c) (d) 布 ，所以其最优的漂移区电阻值仍与击穿电压维 图4 生产高压MOSFET的4种 “体 内RESURF”技术 持2．3到 2．5次方的指数关系。为了更有效地降 Fig．4 4bodyRESURFtechnologiesofhigh voltageMOSFET 低其阻值 ．一种更为先进的思想就是改变漂移区 此外 ，“体 内RESURF”技术也可用于中低压 电场的分布形态 ，使其变得更平坦 ，甚至为完全的 MOSFET的生产[16-17】。图5示出一种典型的 “体 内 矩形分布。其结果是最优的漂移区电阻值与击穿 RESURF”技术 。其基本思想是 以自对准的方式 。通 电压可近似成线性关系。为达到此 目的，第一种方 过 Trench底部 向漂移区注入 n型或P型杂质 ．加 法就是利用Trench工艺来实现所谓的 “体 内场 以适当的高温推结来实现 “体 内RESURF”层。 板”技术 【m]．如图3所示。 一p-Body-．-It~llp-Body ／ “--33＼p j