大功率IGBT仿真建模及其应用.pdfVIP

第 46卷第 12期 电力 电子技术 Vo1．46，No．12 2012年 12月 PowerElectronics December2012 大功率 IGBT仿真建模及其应用 李伟邦，侯 凯，范镇淇，骆 健 (国网智能电网研究院，江苏 南京 210003) 摘要 ：大功率 IGBT模块成本较高且容易损坏 。在使用时需对其及相关 电路进行仿真 以考察其电应力 。但电力 电子仿真软件缺少对此类 IGBT模块的模型支持。采用Saber的IGBT1建模工具建立 了FZ6OOR17KE4仿真模 型 ，并参照其数据手册参数 ，对模型静态特性 、门极电荷特性及动态特性进行对比，模型与数据较好匹配。同 时，将该器件应用于 4单元 IGBT串联阀臂 ，通过设计相应 门极驱动保护单元 (GDU)，并将其应用在脉冲环境 中，进行了脉冲放电均压测试。基于已建立模型进行了电路仿真 ，仿真与实验结果基本一致。 关键词 ：绝缘栅双极型晶体管：串联 ：大功率 中图分类号：TN32 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2012)12—0049—03 M odelingandApplication ofHigh PowerIGBT LIWei—bang，HOU Kai，FAN Zhen—qi，LUO Jian (StateGridSmartGridResearchInstitute，Nanjing210003，China) Abstract：Itisnecessarytosimulatetheelectricalstressforthehigh powerIGBT asitshigh costandeasytodam— age．However，thereislesspowerelectronicsimulationsoftwaretosupport such IGBTmodulesmode1．Thispaperbuilts the FZ60OR17KE4type IGBT modelbytheSaberIGBT1modeltoo1．Comparedwith itsdatasheet．itisf0undthatthe static characteristics．the gatecharge characteristics and dynamiccharacteristicsofthe builtmodelmatch wellwith hte datasheet．Then，4piecesofsuch IGBTsareused to design avalveaFm，withown designedgatedriveprotection unit(GDU)，voltage—sharingperformanceisobservedinthepulsetestprocess．Theresultsshowthatthemodelsimulation andexperimentalresultsmatchvery wel1． Keywords：insulatedgatedbipolartransistor；series；high power FoundationProject：SupportedbyVeryLargeScale IntegratedCircuitManufacturingTechnologyandComplete Process(No．2011ZX02603—005，2011ZX02503—006) 1 引 言 的IGBT1建模工具。行为模型与器件具体类型无 关，仅模仿 IGBT行为，与物理机理无关。它以实验 IGBT为新型电力电子器件．具有 MOSFET器