ATO粉体的制备工艺及其导电性能的研究.pdfVIP

第 26卷第 2期 安 徽 工 程 大 学 学 报 Vo1．26．No．2 2011年 6月 JournalofAnhuiPolytechnicUniversity Jun．，2011 文章编号 ：16722-477【2011)02-0051—04 ATO粉体的制备工艺及其导电性能的研究 尹大鹏 ，朱协彬 ，汪海涛 (安徽工程大学 安徽省高性能有色金属材料重点实验室，安徽 芜湖 241000) 摘要 ：以SnCI。·5H O和 SbCI。为原料 ，采用化学共沉淀法制备纳米 ATO粉体 ，考察 了pH值、氨水体积 比、 锑的掺杂量 、煅烧温度及煅烧时间对粉体导电性能的影响．运用DDS-12A型数显电导率仪测试了 ATO粉体 的电导率，运用了 x射线衍射 (XRD)、扫描 电镜 (SEM)等测试方法对粉体的晶型、粒径及形貌进行了表征．研 究结果表明，氨水体积 比为 1t3，pH值为 8，煅烧温度 600℃，煅烧时间4h时所制备的纳米 ATO粉体 电导 率值最大，即导 电性能最佳． 关 键 词：粉体 ；ATO ；化学共沉淀法 ；电导率 中图分类号 ：TB34 文献标识码 ：A 锑掺杂二氧化锡 (ATO)是一种 N一型半导体．纳米 ATO材料集 中了ATO材料和纳米材料的优点，具 有特定的光学性能和电学性能，因而主要用作红外吸收材料、光 电材料 以及导电材料等，是一种极具发展 潜力的新型多功能透明导 电材料．制备 ATO导电粉末的方法有多种 ，包括水热法口]、醇盐水解法[4]、溶 胶一凝胶法 ]、化学共沉淀法等[8¨．其 中，溶胶一凝胶法 以金属有机醇盐为原料 ，成本 比较高 ，应用有限．化 学共沉淀法制备ATO粉体具有制备工艺简单、成本低、制备条件易于控制、合成周期短等优点，已成为 目 前研究最多的制备方法．孟杰等 e【]以SnC1 ·5H O和 SbC1。为主要原料，采用化学共沉淀法制得 了高导 电性能的ATO粉体．李雄平等[1们提出了一种改进后的ATO导电粉体的制备方法．本文以SnC1 ·5HzO 和SbC1为主要原料，采用化学共沉淀法制备ATO粉体．以前人们主要考察了制备工艺对其粒径的影响 以及对其制备工艺 的研究，而关注制备工艺对导 电率 的影响较少 ，本文全面考察了制备工艺参数对其电导 率的影响． 1 试验部分 1．1 试验原料、设备及仪器 试验工艺流程见图 1． SnCh溶液 SbCh溶液NH3’1-120 结晶四氯化锡 ，SnC1 ·5HO，分析纯 ，上海山浦化工有限公司；三氯 化锑 ，SbCl，分析纯，广东汕头市西陇化工厂；氨水，NH。·HO，分析 纯，无锡市苏强化工有限公司；盐酸，HC1，分析纯，无锡市苏强化工有限 公司． JB一5定时双 向数显恒温磁力搅拌器 ，金坛市科析仪器有限公司； SHZ—D(Il1)循环水式真空泵，巩义市予华仪器有限责任公司；DZX-3型 真空干燥箱，上海福玛试验设备有限公司；KSX：节能式快速升温 电炉， 湘潭湘仪仪器有限公司；DDS-12A型数显电导率仪，上海今迈仪器仪表 有限公司；TAE-1002型超声波清洗器 ，上海台姆超声设备有 限公司． 1．2 试验过程 采用共沉淀法 ，以SnC1 ·5H。O和 SbC1。为原料 ，按 SbO。：SnO。 丛Q丝焦 图 1 化学共沉 淀法 制备 ATO =7．5：100(质量 比)的比例称量 SbCI。1．5g和 SnC14·5H2O 17．3g， 粉体试验流程图 收稿 日期 ：2010—09—15 基金项 目：安徽工程大学科研启动基金资助项 目(2007yq002) 作者简介：尹大鹏 (1985一)，男．安徽芜湖人，硕士研究生． 通讯作者：朱协彬(1964一)，男，安徽淮北人，副教授，博士． 安 徽 工 程 大 学 学 报