CuNiSi引线框架材料的研究进展.pdfVIP

第29卷 第3期 江 西 科 学 Vo1．29No．3 2011年 6月 JIANGXI SCIENCE Jun．201l 文章编号：1001—3679(2011)03—0363—04 CuNiSi引线框架材料的研究进展 万 珍 珍 (江西省科学院应用物理研究所，江西 南昌330029) 摘要：引线框架材料是集成电路封装和半导体元器件的主要材料，起到支撑和固定芯片、传输电信号和散热的 作用。CuNiSi合金材料具有高的强度、较高的导电率，而且价格低廉，近年来作为引线框架材料得到了很大的 发展。简单介绍了国内外铜合金引线框架材料的发展状况，综述了CuNiSi引线框架材料的研究现状，并对其 发展前景进行 了展望。 关键词：CuNiSi；铜合金 ；引线框架材料 中图分类号：TG146．1 文献标识码：A ResearchProgressofCu--Ni—-SiAlloyforLeadFrame WANZhen—zhen (InstituteofAppHedPhysics，JiangxiAcademyofSciences，JiangxiNanchang330029) Abstract：TheleadframesareoneofthemostimportantpartsofICencapsulationandsemi—conduc— torelectroniccomponent，whichprovidemechanicM support，sendelectricsignal，anddissipateheat． TheCuNiSialloyhasnotonlyhighsrtengthandconductivity，butalsoitislow cost，SOitisgreatly developedasleadframematerialsinrecentyears．Thispaperintroducesthedevelopmentsurveyof copperalloyforleadframematerials，theresearchstatusofCuNiSialloyforleadframematerialsis described，nadhtedevelopmentprospectisanalyzed． Keywords：CuNiSi，Copperalloy，Leadrfma ematerial 0 引言 量占引线框架材料的80％以上…。 引线框架材料是集成电路封装和半导体元器 1 国内外铜合金引线框架材料的发展 件的主要材料，起到支撑和固定芯片、传输电信号 自20世纪60年代世界上第 1块集成电路问 和散热的作用。随着集成电路向大规模和超大规 世以来，半导体集成电路引线框架材料得到很大 模的迅速推进，以及半导体器件不断向高集成、高 发展，其用量越来越大，新材料不断出现。早期的 密度方向的发展，对引线框架材料的强度及导电 引线框架材料多采用可伐合金和 FeNi42合金制 导热等性能要求越来越高。铜合金具有高导电、 造，但随着铜合金材料的不断优化和改进，铜合金 高导热、价格低廉等特点，正逐渐替代可伐合金和 成为制造引线框架的主要材料。 FeNi42合金，成为制造引线框架的主导材料。目 铜合金引线框架材料的发展可分为 3个阶 前开发的铜合金引线框架材料已达 100多种，用 段 ．3J：第 1阶段是从20世纪70年代铜合金引线 收稿 日期 ：2011—03—23；修订 日期：2011一o4—28 作者简介：万珍珍(1983一)，女，江西抚州人，硕士，实习研究员，主要从事金属材料方