硫化镉纳米结构的制备与光学性质研究.pdfVIP

第38卷 增刊2 稀有金属材料与工程 V01．38，Suppl．2 2009年 12月 RAREMETALMATERIAI，SANDENGINEERING December2009 硫化镉纳米结构的制备与光学性质研究 符秀丽1，唐为华2 (1．北京邮电大学，北京100876) (2．浙江理工大学，浙江杭州310018) 摘要：采用直接热蒸发CdS粉末的方法，在不同的生长条件下制备出CdS纳米线和纳米带材料并对其形貌、结构和光学性 质进行了研究。CdS纳米线具有单晶结构，且生长方向具有择优取向，而其纳米带不具有上述结构特征。光致发光光谱研究发 rim 现，室温下纳米线只在508rim出现了CdS的本征发射带。然而，纳米带存在2个明显的发光峰，中心峰位分别位于513 和756riril。这2个发射峰可分别指认为CdS的本征发射和∥空位引起的发射。 关键词：CdS纳米线；CdS纳米带；光学性质 中图法分类号：TM23 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2009)S2．1022．04 II一Ⅵ族化合物半导体由于禁带范围较宽、直接 干。然后，使用反应等离子体干法刻蚀去除衬底表面 跃迁型能带结构及丰富的发光色彩等特点在激光器、 薄的氧化层。最后，使用磁控溅射薄膜沉积系统在清 发光二极管、太阳能电池等应用方面一直发挥着重要 洁的Si片表面镀上不同厚度(10～50llm)的金薄膜。 的作用[1’2】。纳米尺度的Ⅱ．Ⅵ族半导体材料更因其独 制备CdS纳米材料时，首先将盛放有0．5CdS粉末 g 特的发光性质、半导体量子化性能以及更能满足器件 原料的石英舟放置在管式电阻炉的中央，镀金的硅衬 微型化的需求，在纳米光电子器件领域表现出巨大的 底分别放在气流的下端离石英舟15～30cm的位置处， 应用潜力【3，41，因此，其纳米材料的合成[5“81、光电磁然后密封管式炉的2个端口，紧接着打开机械泵抽真 等性能【9-11】以及应用[12,13]方面的研究一直是近年来空，1min后关闭针阀，再通入Ar气清洗系统，直到 纳米材料学研究的焦点。 管内压强达到0．1MPa。重复抽真空和充气过程多次， 硫化镉(CdS)，室温下禁带宽度为2．42eV，是 以保证管内气氛纯净，没有氧气等其他杂质气体存在。 一种典型的II．Ⅵ族化合物半导体，在可见光范围内 清洗完毕，在氩气保护下，以10*C／min的速率升温加 具有很好的光电特性。随着尺寸和维度的降低，CdS 热电阻炉至某特定温度(如1020℃)，恒温30min。 纳米材料表现出许多不同于其块体和薄膜材料的光 最后，将样品自然缓慢冷却到室温。实验过程中维持 学、电学及非线性光学性质，比如，量子尺寸效应使 一定流量的氩气(如35mL／min)，并将管式炉内压 得CdS的能级改变、能隙变宽，吸收和发射光谱向 强保持为0．1MPa。反应完毕，衬底表面出现淡黄色 产物。 短波方向移动[14】；表面效应引起CdS纳米微粒的表 面原子输运和构型发生变化，同时也引起其表面电子 样品制备好后，利用扫描电子显微镜(SEM，XL30 自旋构象和电子能谱发生变化【15】。本研究采用CdSS．FEG 粉末为原料，以氩气为载流气体，以溅射一层金膜的 (F．2500 n型Si(100)单晶片为衬底，利用气相蒸发冷凝法实 FL)等对其形貌、结构特征和光学性质进行 现了大规模制备CdS纳米线和纳米