4H-SiC肖特基二极管温度传感器模型分析.pdfVIP

增刊 重庆邮电大学学报( 自然科学版) Suppl ement 2008年6 月 J our n al of Cbongqi ng Un i ve r si t y of Po st s and Tel e ommuni at i on s( Nat ur al S i e n e Ed i t i on ) Ju n．2 00 8 4H．Si C肖特基二极管温度传感器模型分析 申君君，王巍，王玉青 ( 重庆邮电大学光 电工程学院，重庆40 00 65) 摘要：在4H．Si C肖特基二极管正向电流热 电子发射理论基础上，得出了理想因子、势垒高度及串联 电阻随温度 变化的特性值，并结合考虑三者随温度变化的特性提 出了一种计算正 向电流密度 的理论模型。通过对肖特基二极 管的正 向特性在300 —500 K的温度范围内的电流一 电压曲线模拟，表 明温度升高对正向特性的影响比较显著。 肖特基二极管适合于高温工作，同时表 明热 电子发射是其主要运输机理 。 关键词：4H一碳化硅； 肖特基 二极管；温度传感器 中图分类号：TN91l 文献标识码 ：A 文章编号： 1673 ·82 5X( 2008) 增 - 0042- 03 St udy on mode l of 4H- Si C S hot t ky di od es t emper at ur e sens or SHEN Jun- j un ，WANGwei ，WANG Yu —qi n g ( Col l e ge of El e t r on i s Engi neer i ng 。Chongqi ng Uni ve r si t y o f Pos t s and Tel e ommuni at i ons ，Chon gqi ng 400065 ．P ．R．China) Abs t r a t ：Bas ed on t he t her mi oni emi ssi on t heor y of t he ur r ent dens i t y of 4H—Si C S hot t ky bar r i er di odes ( SBD) under t he f or war d bi as ，t he i nf l uen e o f t emper a t ur e on t he i de al i t y f a t or ，S hot t ky bar r i er height a nd on—r esi st a n e ar e i n ve st i · ur r ent model i s t he i nf l uen e ．Over a gat ed ．Th eor et i al densi t y pr opose d by ons i der i ng t emper a t ur e t emper a t ur e r a nge f r o m300K t o 550K．t he r e 8ul t s s how t hat t he f or war d hara t er i st i of t he SBD h ang e obv i ous l y ．a nd t he SBDj S s ui t abl e f or sen sor on r e sul t s a l so s how t hat t he t her mi oni emi s s i on i s t he domi — t emper a t ur e ope