电子束蒸发工艺制备HfO2薄膜的非均质性.pdfVIP

中国科技论文在线 电子束蒸发工艺制备HfO2 薄膜的非均质性 # 1,2 1,2 1,2 1,2** 鲍刚华 ，程鑫彬 ，焦宏飞 ，王占山 5 （1. 同济大学，先进微结构材料教育部重点实验室，上海200092； 2. 同济大学物理科学与工程学院，精密光学工程技术研究所，上海200092 ） 摘要：采用电子束蒸发（EB）工艺在不同的沉积温度和氧分压参数下制备了HfO2 单层膜。 光谱测试表明沉积工艺是影响HfO2 薄膜非均质性的重要因素，X 射线衍射 （XRD）测试结果 10 表明不同的非均质性对应不同的结晶态和微观结构。当沉积温度较低时，氧分压较大时，沉 积分子动能和迁移率较低，不易结晶，薄膜容易呈无定形态；