带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器.pdfVIP

第 12期 电 子 学 报 V01．36 No．12 2008年 12月 ACrA EU CrR0NICASINICA Dec． 2oo8 带有小型化 Balun的C波段单片GaAspHEMT单平衡 电阻性混频器 李志强，张 健，张海英 (中国科学院微电子研究所，北京 100029) 摘 要： 本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAspHEMT单平衡电阻性混频器．Balun采用集 总一分布式结构，使其长度与常用 ／4耦合线Bahm相比缩小了11倍，大大降低了将无源 Balun应用于c波段单片集 成电路中所需的芯片尺寸．混频器采用单平衡电阻性结构，在零功耗的情况下实现了良好的线性和 口间隔离性能 ．测 试结果显示 ，在固定中频 160MHz，本振输入功率0dBm条件下，在3．5～5GHzRF频带内，最小变频损耗为8．3dB，ldB压 缩点功率为 8．0dBm，LO至 之问的隔离度为38dB． 关键词： 砷化镓基赝配高屯子迁移率晶体管；电阻性混频器；小型化Balun；集总一分布式 中图分类号： rN77 文献标识码： A 文章编号： 0372—2112(2008)12—2454—04 C-B·andMonolithicGaAspHEMT ResistiveSingle-B·alancedMixerwithMiniaturizedBalun LIZhi—qiang，ZHANGJian，ZHANGHai—ying (InstituteofMicroelectronics，ChineseAcademyofSciences，＆ ，lg100029，China) Abstract： A C-bandGaAspHEMT single—balancedresistivemixerwithminiaturizde balunispresentde ．Byusniglumped- diswibutedsll-ucture．htecouplde-linelengthwasreducedbyafactorofl1comparedwiht theconventional2／4couplde-linebalun． 111isbalunwashtenusedniaresistivemixertotransform hteinputsingle-endde signalnitodifferentia1．Themixerachievde good linearityandportisolationperformance 、vim zeropowerconsumption．Testresultsshowde htat．、vith afixed IF of160 Ⅷ zand 0dBm L0 power，theminimum conversionlossis8．3dBm- 3．5～5GHZRFfrequencyrange． measurde 1dBcompressionp0_mt iS8dBm nadhteL()．to-FI isolationiSbetterhtna 38dB． Keywords： GaAspseudomorphichighelectronmobilitytransistors(pHEMT)；resistivemixer；miniaturizedbalun；lumped- distributed 阻和栅电容乘积更小，其对本振功率的要求更低 ，工作 1 引言 频段也更宽 J．这些特点使得 GaAspHEMT电阻性混频 近来，随着无线通信技术的飞速发展，人们对小型、 器被广泛应用于微波单片收发机中． 低功耗、高线