Ge（SiO2）n团簇结构和电子性质的密度泛函理论研究.pdfVIP

第 28卷 第 4期 原 子 与 分 子 物 理 学 报 Vo1．28 No．4 2011年 8月 J0URNALOFATOMICANDMOLECULARPHYSICS Aug． 2011 doi：103969／j．issn．1000—0364．2011．04．013 Ge(SiO2) 团簇结构和 电子性质的 密度泛 函理论研究 葛桂贤，井 群，闰红霞，杨增强，曹海宾，张建军 (石河子大学师范学院物理系生态物理重点实验室，新疆 832003) 摘 要 ：采用密度 泛函理论 中的广义梯度近似 (GGA)对 Ge(SiOz)( 一 1～7)团簇的几何构型进行优化 ， 并对能量、频率和 电子性质进行 了计算．结果表 明，Ge(SiO2) 的最低能量结构是在(SiOz) 端位 0原子 以 及近邻端位 0原子的Si原子上吸附一个 Ge原子优化得到；随着锗原子数的增加 ，增加的锗原子易与原来 的锗原子形成锗 团簇．掺杂锗原子后 团簇的能隙比(SiO2) 团簇 的能隙小，当多个 Ge原子掺 杂到 (SiOz)3 团簇时，其能 隙随着 Ge原子 个数 的增加 出现 了振 荡，G (Si0z)。的能隙从 可见 光 区到近 红外光 区变化． 二阶能量差分、分裂能表明Ge(SiO )2和 Ge(SiO2)s团簇是稳定的． 关键词 ：(SiO2) 和 Ge(SiO2) 团簇 ；几何 结构 ；电子性质 中图分类号 ：O561 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—0364(2011)04—0667—09 Densityfunctionaltheorystudyon structuralandelectronic propertiesofGe(SiOz) clusters GE Gui—Xian，JING Qun，YAN Hong—Xia，YANG Zeng—Qiang，CAO Hai—Bin，ZHANG Jian-Jun (KeyLaboratoryofEeophysiesandDepartmentofPhysics，NormalCollege，ShiheziUniversity，Xinjiang832003，China) Abstract：Thegeometry，stability，bindingenergyandelectronicpropertiesof(SiO2) andGe(SiO2) clusters(一 1～7)havebeeninvestigatedbyDensityfunctionaltheory (DFT)．Theresultsshow that thelowestenergystructuresofGe(SiO2) areobtainedbyaddingoneGeontheendsiteofOatom orthe SinearendsiteofO atom in (Si02) ，andtheincomingGeatomstendtoclusterontheexistingGeclus- ter，1eadingtotheformationofGeislands．ThechemicalactivationofGe(Si02) isimprovedcompared with (SiO2)．WhenmanyGeatomsaredopedonthe(SiO2)3，thegapofGe (SiO2)3appearsthealter— ationbetweenvisiblelightandinfrared．Thecalculatedsecond—orderdifferenceofenergiesandfragmen— tationenergiesshow thattheGe(SiO2) clusterswith =2or5arestable． Keywords：(SiO2) andGe (SiO2) clusters，geometries，electronicproperties