反应前驱物中n（S）：n（Cd）对CdS薄膜结构及发光特性的影响.pdfVIP

第 32卷 第 8期 发 光 学 报 Vo1．32 No．8 2011年8月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Aug．，2011 文章编号：1000-7032(2011)08-0793--05 反应前驱物中n(S)：n(Cd)对 CdS薄膜结构及发光特性的影响 赵湘辉 ，魏爱香 ，招 瑜 (广东工业大学 材料与能源学院，广东 广州 510006) 摘要 ：采用化学水浴以CdC1·H0、CS(NH)、NHC1、NH ·H20和去离子水作为反应前驱物制备CdS纳 米晶薄膜。采用扫描 电镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)、透射光谱和稳态荧光光谱 ，研究 了反应前驱物 中不同 的n(S)：n(Cd)对 所制 备 的 CdS薄膜 的形貌、结 构 和光学 性能 的影 响。结果表 明：反应 前驱 物 中 n(S)：Z／(Cd)≥3：1时均能制备出由纳米颗粒组成的、具有立方晶系结构的CdS薄膜；CdS薄膜均为富镉 的n 型半导体 ，薄膜中的S／Cd原子比约为0．9：1；CdS薄膜的吸收边在450am左右，在 510～2500iqm范围内透射 率均在 70％以上，在 500nm处有一较强的发光峰。 关 键 词 ：化学水浴法 ；CdS薄膜 ；n(s)：n(cd)；光致发光 中图分类号 ：0482．31 PACS：78．55．Et PACC：7855E 文献标识码 ：A DoI：10．3788／fgx0793 统的研究。因此，本文采用化学水浴法 ，以CdC1 · 1 引 言 H20，CS(NH：)，NHC1，NH，·H0和去离子水 硫化镉 (CdS)是一种 Ⅱ．Ⅵ族直接带隙半导 作为反应前驱物制备 CdS纳米 晶薄膜 ，主要研究 体材料 ，室温下禁带宽度 2．42eV_1。由于具有 反应前驱物中不同凡(S)：n(Cd)对 CdS薄膜的结 特殊 的光学和电学特性 ，在太 阳能电池 、光电探测 构 、形貌和光学性质的影响。 器、传感器、非线性集成光学器件等方面具有广泛 的应用前景 4。，例如，以CdS作为缓冲层的CIGS 2 实 验 薄膜太阳能电池的光 电转换效率 已达到20％E5]。 2．1 试剂的配制和衬底的清洗 目前 ，制备 CdS薄膜 的方法主要有物理气相沉积 以CdC12·H20、CS(NH2)2、NH4C1、NH3·H20 法、电沉积法、化学水浴法 (CBD)等。。 ，在这些 和去离子水作为反应前驱物 ，所用试剂均为分析 方法中，化学水浴法 由于具有工艺简单 、易于大面 纯。实验中首先采用去离子水分别将各种试剂配制 积生产等优点，成为制备 CdS薄膜 的主要 方 成一定浓度 的溶液，保存在密 闭玻璃瓶 中备用。 法 。化学水浴沉积过程是在缓冲剂作用下，溶 CdC12·H0的浓度为0．1otol·L～，NH4C1的浓度 液缓慢释放 Cd 和 S 离子 ，通过离子交换和结 为 1otol·L～，CS(NH2)2的浓度为0．5mol·L～， 合使 Cd“和 s卜离子沉积在衬底上生成 CdS薄 NH