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曾冬梅 等：溅射功率对 CdZnTe薄膜成分和结构的影响 溅射功率对 CdZnTe薄膜成分和结构的影响 曾冬梅 ，周 海，卢一民，杨英歌 (北京石油化工学院 材料科学与工程系，北京 102617) 摘 要 ： 采用Cd。．。Zn。．Te．晶体作为溅射靶在玻璃 2 实 验 衬底上利用磁控溅射法制备 出CdZnTe薄膜，研究了 溅射功率对 CdZnTe薄膜的成分、结构特性 的影响。 2．1 CZT薄膜的制备 制备的CdZnTe薄膜是具有闪锌矿结构的多晶薄膜 ， 用多功能高真空磁控溅射系统在玻璃衬底上制备 沿(111)择优取向。随着溅射功率的增大，薄膜沉积速 CZT薄膜样品，系统的本底真空为 3．8x1O Pa，溅射 率增大，薄膜结晶质量提高。采用晶体靶 Cd。．。Zn¨Te 压强为 I．5Pa，溅射时间 1rain。所用 CZT晶体靶采用 溅射 CdZnTe薄膜 时，无论是在何种功率下 CdZnTe 改进布里奇曼法生长 ，原料为 7N 的Te、Cd和 Zn，组 薄膜 中的Cd原子成分均高于 Te原子成分，Cd原子 分为Cd0_9Zn。1Te。靶材是 由直径60mm 的Cd。．9Zn。．1 表现为择优溅射原子。 Te晶锭沿轴向切割成厚度为 3ram 的薄片。靶与衬底 关键词 ： 磁控溅射 ；溅射功率 ；CdZnTe薄膜 之间的距离为4cm。溅射所采用的气体是 99．999 的 中图分类号 ： TN304．2 6 文献标识码 ：A 高纯氩气 ，溅射镀膜时工作气压是 1．5Pa，溅射时衬底 文章编号：1001-9731(2011)09-1663—03 加热温度为 300℃，溅射功率介于 6O～120W。所用衬 底为普通载玻片 ，在放入溅射室之前，依次经无水乙醇 1 引 言 擦拭 ，60℃丙酮溶液超声清洗 15min，无水 乙醇浸泡 CdZnTe(简称为CZT)薄膜是近年发展起来 的一 20rain，去离子水反复冲洗后烘干。 种性能优异的新型薄膜材料。由于其电阻率高、原子 2．2 样品的性能及表征 ． 序数大 (48~52)、量子效率高、电荷传输性能优异及禁 采用岛津 SUPERSCANSS一550／SSX一550扫描 电 带宽度大等物理特性 ，可广泛应用于太 阳能、天文 、医 镜所带的X射线能谱仪 (EDX)分析薄膜成分。薄膜 学等领域[1-31。 的表面形貌的分析用 日本岛津公司SPM一95ooJ3型原 CZT薄膜既可由化学方法制备 ，也可通过物理气 子力显微镜。样 品物像和结构分析采用 日产 岛津 相沉积得到。众多 CZT薄膜制备方法 中，磁控溅射法 XRD7000型 X射线衍射仪 (XRD)，CuKa辐射 ，波长 制备 CZT薄膜成本低 ，适用于大面积沉积薄膜 ，制备 为 1．54056×10_。m分析。 的薄膜与基片 间附着力较大 ，并可连续溅射多层薄 3 结果与讨论 膜[4]。因此 ，利用磁控溅射法制备 CZT多晶薄膜逐渐 被大家所重视并愈来愈引起研究人员的广泛兴趣 。 3．1 溅射功率对沉积速率的影响 近年来人们在磁控溅射法制备 CZT薄膜方面已 图 1是 CZT薄膜沉积速率与溅射功率之间的关系 作了一些工作。大多研究人员采用 CdTe和 ZnTe的 曲线。从图 1可以看 出薄膜 的沉积速率随着射频溅射 混合粉末或合金作为靶材_5溅射 CZT薄膜 。P．Ban— 功率的增大而增大。在溅射镀膜过程 中，基片上的沉积 erjee等 以CdTe和 Z