一种新型MEMS温度传感器.pdfVIP

2011年第3O卷 第9期 传感器与微系统 (TransducerandMicrosystemTechnologies) 149 =刖 沿 技 一术 ～ 一 种新型MEMS温度传感器 ~l-ff-青 ，陈向东 ，龚 静 ，李秀梅 (1．西南交通大学信息科学与技术学院，四川 成都 610031； 2．西南交通大学 物理科学与技术学院，四川 成都 610031) 摘 要：提出了一种新型的基于硅微桥的MEMS温度传感器。传感器是由表面制有惠斯通电桥的硅微桥 和淀积在其表面的温敏聚合物薄膜构成。应用弹性力学薄板理论分析了该温度传感器的模型。分析表 明：硅微桥的输出与温度变化呈线性关系。在温敏薄膜材料参数已知时，采用大面积、高厚度 ，可以改善传 感器性能。 关键词：双层薄膜；硅微桥压阻式；温度传感器 ；微机电系统 中图分类号：TP212．1 文献标识码：A 文章编号：1000-9787(2011)09-0149-04 A novelM EM S temperaturesensor SHIZi．qing，CHENXiang．dong，GONGJing ，LIXiu．mei (1．SchoolofInformationScience Technology，SouthwestJiaotongUniversity，Chengdu610031，China； 2．SchoolofPhysicalScienceandTechnology，SouthwestJiaotongUniversity，Chengdu610031，China) Abstract：A novelMEMStemperaturesensoremployingabi—layerfilm structureispresented．Thesensingunitis composedofasiliconmicro—bridgeembeddedwithapiezoresistiveWheatstonebridgeandatemperaturesensitive polymerfilm．Modelanalysisofthetemperaturesensorusingelasticmechanicstheoryispresented．Analysisshows thattheoutputofthesiliconmicro—bridgeislinearwithtemperature．Largerareaandthickerthicknesscanimprove theperformancewhenthepolymerfilm materialparametersareknown． Keywords：bi—layerfilm ；Simicro—bridgepiezoresistive；temperaturesensor；MEMS 0 引 言 由于变形受到硅微桥的限制 ，根据热力学可知，温敏薄膜将 温度传感器是最早开发，应用最广的一类传感器，其种 产生应力 ，在此应力作用下硅微桥将发生变形，如图2所 类繁多 J，如，传统 的分立式温度传感器 (含敏感元件)， 示，由于温敏薄膜和硅微桥组成的双层薄膜弯曲源 自温敏 模拟集成温度传感器 ／控制器 (硅传感器或单片集成温度 薄膜变温后的变形 ，作用效果与薄板受横向荷载的弯曲情 况相同，因此，可以将该情况下的硅微桥受力弯曲视为在等 传感器)、智能温度传感器等。虽然传统的传感器有不可 效横向温度荷载q作用下的薄板 的小挠度弯曲问题。同 替代的优点，但随着工业 自动化程度的提高和多传感器信