0.25μm CMOS千兆以太网发送器设计.pdfVIP

维普资讯 第30卷第 l2期 2004年 l2月 电 孑 工 程 师 、一o1．30No．12 ELECTRONICENGINEER Dee．2Oo4 0．25tam CMOS千兆以太网发送器设计 黎 飞，王志功，赵文虎，鲍 剑，朱 恩 (东南大学射频与光电集成电路研究所，江苏省南京市210096) 【摘 要】 分析了千兆以太网体系结构，给出了符合 IEEE802．3z标准中1000BASE．X规范的发 送器电路结构，并采用TSMC0．25IxmCMOS混合信号工艺设计了符合该规范的高速复接 电路和锁相 环时钟倍频电路：芯片核心电路面积分别为(0．3×0．26)mm 和(0．22×012)mm ：工作电压2．5V 时，芯片核 心电路功耗分别为120mW和 100mW 。时钟倍频 电路 的10倍频输 出时钟信 号频率为 1．25GHz，其偏离中心频率 1MHz处的单边带相位噪声仅为一109．7dBc／Hz。在驱动50Q输 出负载 的条件下，1．25Gbit／s的高速输出数据信号摆幅可达到410mV。 关键词：千兆以太网，CMOS工艺，发送器，时钟倍频，复接器 中图分类号 ：TN492 表 1 千兆以太网 1000BASE·X标准 1 千兆以太网物理层系统分析 以太网技术是当前局域网应用的首选技术，并 已 扩展到了城域网和广域网。而该技术本身经历了以太 网(10Mbit／s)，快速以太网(100Mbit／s)，千兆以太网 (1000Mbit／s)以及万兆 以太网(10Gbit／s)等多个发 展阶段。其中在千兆 以太网标准 IEEE802．3z的 注：A为短波长激光器物理层2路多模光纤；B为长波长激光 1000BASE—X规范中定义了以光纤作为传输媒质，从 器物理层2路单模或多模光纤；C为短距离屏蔽铜线 。 而使得千兆以太网技术兼具以太网技术和光纤通信技 川 是d 术的优点。 会话 考虑到CMOS工艺具有功耗低、集成度高、流片成 f々输 l圳络垃 本低、工艺易获得等优势，正在许多商用高速电路设计 数据链路 中取代双极型硅或 GaAs工艺，所以本次设计采用台 物理 湾TSMC公司0．25Ixm双阱、2层多晶硅、5层金属}昆 OSI参学模 1000BASEX· 合信号标准CMOS工艺，实现了适用于千兆以太网的 图1 OSl参考模型和 1000BASEX·模型 发送器电路，包括高速复接电路以及产生复接 电路所 图1中：1000BASE-x物理层主要包括媒体相关 需时钟的锁相环时钟倍频电路。 接 口(MDI)、物理媒体相关 (PMD)子层、物理媒体连 在 1998年 7月制定的IEEE802．3z标准 中定义 接 (PMA)子层、媒体相关接 口(PCS)以及千兆 比特媒 了千兆以太网1000BASE．X规范的体系结构u。为充 体独立接 口(GMII)。MDI物理编码子层是传输媒质 分利用已经广泛安装使用的五类 UTP电缆，IEEE于 与物理层之间的机械和电气接 口。PMD子层完成 电 1999年6月